【产品】VR11.1、VR12兼容的ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器,高级微处理器设计首选

2018-08-21 Intersil(Renesas收购)
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Intersil(RENESAS收购)是创新电源管理与精密模拟解决方案的领先供应商。ISL6627是Intersil公司推出的一款高频MOSFET驱动器,被设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上部和下部功率N沟道MOSFET。

 

 

图1 ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器封装外形图

 

 

图2 ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器的典型电路框图



ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器的高级PWM协议专门设计用于与Intersil VR11.1、VR12控制器配合使用,并与N通道MOSFET结合,形成完整的核心电压调节器解决方案,适用于先进的微处理器。当ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器检测到Intersil VR11.1、VR12控制器发送的PSI协议时,它将激活二极管仿真(DE)操作; 否则,它以正常连续导通模式(CCM)的PWM模式工作。

为了进一步提高轻载效率,ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器可在PSI期间实现二极管仿真操作模式。这允许其通过检测电感器电流何时达到零并随后关闭低边MOSFET,以防止其吸收电流,从而实现不连续导通模式(DCM)。当ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器从PWM检测到二极管制动命令时,它会关闭两个栅极并减少负载瞬态情况下的过冲。

ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器集成了先进的自适应直通保护功能,可防止上部和下部MOSFET同时导通,并最大限度地缩短死区时间。用户还可以选择对驱动器进行编程,使其工作在固定传播延迟模式,以优化稳压器效率。ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器具有20kΩ集成高端栅极-源极电阻,可防止由于高输入总线dV/dt所导致的自导通。


ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器的电源电压范围为-0.3V至7V,宽电压范围可满足更多应用的设计需求;其工作温度范围为-40℃到+125℃,即使在极端的温度环境下也能正常工作;ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器采用了小型化10Ld 3x3mm的DFN封装,在该封装下,该器件具有极低的热阻,仅为10°C/W (θJC ),能够简化器件的散热设计。

 

ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器的产品特性:

·Intersil VR11.1和VR12兼容

·用于同步整流桥的双MOSFET驱动器

·先进的自适应直通保护功能

·用于优化效率的可编程固定死区时间

·低待机偏置电流

·36V内部自举二极管电压

·自举电容器过充电预防功能

·支持高开关频率

  ·4A吸收电流能力

  ·快速上升/下降时间和低传播延迟

·集成高边栅源电阻,防止高输入总线dV/dt导致的自导通

·电源轨欠压保护

·可扩展的底部铜垫,用于增强散热

·双扁平10Ld(3x3 DFN)封装

  ·近芯片级封装尺寸; 提高PCB效率,减少模块厚度

·无铅(符合RoHS标准)

 

ISL6627同步整流降压MOSFET驱动器的应用领域:

·高轻载效率电压调节器

·高级微处理器的核心调节器

·高电流DC/DC转换器

·高频高效的VRM和VRD

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  • 小夏 Lv7. 资深专家 2018-10-26
    学习了
  • 水磐龙泉 Lv5. 技术专家 2018-10-08
    学习了
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