【产品】集电极持续电流可达1.0A的CMLT5551HC硅NPN晶体管，特征频率100MHz，专为高电压大电流电路设计
CMLT5551HC是由美国Central Semiconductor公司推出的一款硅NPN晶体管，该器件的设计特点突出，为一款能承受较大工作电流的晶体管。相较于一般NPN晶体管，其集电极持续电流IC可达1.0A，特性优势明显。因此，该器件主要针对高电压、大电流放大电路而设计。其生产过程使用了外延平面工艺，结构稳定性得到保障。封装结构选用SOT-563贴片型，体积小。采用环氧树脂作为封装外壳，重量轻、绝缘好、壳体坚固耐用。
图1 CMLT5551HC硅NPN晶体管的封装示意图
CMLT5551HC硅NPN晶体管在25°C，VCE为5.0V的条件下，当IC调至10mA时，放大倍数为80~250。而其集电极持续电流为1.0A。同时，在耐反向击穿电压方面的表现也极为出色，其集电极基极耐受电压值VCBO为180V，集电极发射极耐受电压值VCEO为160V。另外，CMLT5551HC硅NPN晶体管的功率损耗PD最高为350mW，器件功耗较低。其饱和压降VCE(SAT)为0.15~0.20V，VBE(SAT)为1.00V，导通损耗极低，不仅能说明该器件为一款节能型产品，更能说明其在功率保护方面的设计也是到位的。
图2 CMLT5551HC硅NPN晶体管的封装尺寸示意图
CMLT5551HC硅NPN晶体管的特征频率fT为100MHz，高频特性较好，其极间电容Cob低至15pF，超快速的充放电过程，其响应时间也为纳秒级别。由此，CMLT5551HC硅NPN晶体管极适合用于高频快速响应的开关电路或放大电路中。最后，再讲一下CMLT5551HC硅NPN晶体管的温度特性，其工作温度范围为-65°C~+150°C，耐低温、高温能力都相当不错。其热阻θja为357°C/W，考虑到其毫瓦级的功耗值，器件本身的发热量是极低的，不会对工作性能产生太大的影响，热稳定性能极为优异。
CMLT5551HC硅NPN晶体管的主要特点：
• 集电极持续电流较高IC=1.0A
• SOT-563贴片型封装，体积小，环氧树脂封装，重量轻，壳体坚固
• VCBO=180V，VCEO=160V
• 导通损耗极低，总功耗在毫瓦级别，功耗耐受极限PD=350mW
• 电气可靠性有保障，工作稳定性良好
• 高频特性好，特征频率fT =100MHz，响应速度在纳秒级别
• 温度特性好，热阻θja=357°C/W，热稳定性能优异
• 工作及存储温度范围极大：-65°C~+150°C
CMLT5551HC硅NPN晶体管的典型应用：
• 高电压、大电流的高频放大电路
• 高电压、大电流的快速开关电路
• 大电流的整流电路
• 高电压的稳压电路
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用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-03好东西呀！ -
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盈盈 Lv7. 资深专家 2018-11-03学习一下 -
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飘零雨 Lv6. 高级专家 2018-11-03收藏学习下 -
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Jimi Lv7. 资深专家 2018-11-03学习了 -
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周鑫 Lv8. 研究员 2018-11-03很好，很不错 -
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Harlin Lv5. 技术专家 2018-11-03有用
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