中央半导体为无线充电系统提供整流器、MOSFET和保护二极管，助力提高充电效率

时间： 2021-03-10 来源：Central Semiconductor

代理服务

技术支持

采购服务

无线充电器已成为一种流行的技术，它可以简化便携式电子产品的充电过程。电流模型是通过在初级线圈周围产生的电磁场来发挥作用，初级线圈中的电流由高效且开关速度快的MOSFET转换而得到。要获得高效率，关键是所有半导体器件的传导和开关损耗要尽量小。Central Semiconductor（中央半导体）可提供适合无线充电系统的高效整流器、MOSFET和保护二极管。

无线充电系统框图

适用产品：

1、适合AC/DC转换器

2、适合保护电路

3、适合MOSFET电路

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本文由宝丁翻译自Central Semiconductor，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

提交评论

全部评论（1）

好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-03-10

学习

没有更多评论了

捷捷微电JMSL06系列MOSFETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器

近期，华为推出了一款名为“Max 80 W”的超级快充立式无线充电器，最高可支持80W的功率，捷捷微电有6颗JMSL06系列60V耐压、低开启NMOS管应用于此超级快充立式无线充电器中。

2024-04-10 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】强茂提供薄型化封装的功率MOSFET用于无线充电器，具有FOM低、导通效率稳定等优势

无线充电发送器是将电磁场传递到其应用的电池接收器，因此，为了使无线充电器能正常运作，需要高效能的功率MOSFET提供解决方案。强茂提供了一系列采用薄型化封装的功率MOSFET产品，可在节省电路板空间的同时亦提供稳定的电阻和热阻导通效率。

2020-04-04 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【选型】Central为HID应用推出全波桥式整流器方案

Central Semiconductor推出了性能优异的全波桥式整流器，CBRLD1-06,CBR2-D060S,CBR6M-L060,CBR8M-L060和CBR25-060P，可以将正负周期内的交流电转换为直流电，提高了工作效率，可以应用在HID灯中作整流器使用。

2019-06-18 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的选型经验分享

本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用，分享了一些自己在选型上积累的经验。

2017-01-13 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

锐骏半导体（Ruichips）应用于无线充电器的MOSFET选型指南

目录- 无线充电器概述无线充工作方式无线充电器基本原理 MOSFET选型

型号- RU6035M2,RU30D16H,RU3040M2,RU30L30M,RU30J30M,RU3030M2,RUH3030M2,RU30D20M2,RU3400B

2022/2/23 - 锐骏半导体 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

SGMNM73430 30V，电源，单N沟道，PDFN封装，MOSFET

描述- 该资料介绍了SGMNM73430这款30V单通道功率MOSFET的特性，包括其高功率处理能力、低导通电阻、低栅极电荷和电容损耗等特点。此外，还提供了绝对最大额定值、引脚配置、电气特性、典型性能曲线和应用领域等信息。

型号- SGMNM73430,SGMNM73430TPDA8G/TR

JANUARY 2024 - SGMICRO - 数据手册 - REV. A.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【IC】圣邦微电子最小脉冲宽度1ns的车规级低侧GaN和MOSFET驱动器SGM48521Q

圣邦微电子推出SGM48521Q，一款最小脉冲宽度为1ns的 5V、7A/6A车规级低侧GaN和MOSFET驱动器。该器件可应用于汽车应用、激光测距系统、5G 射频通信系统、无线充电系统和GaN DC/DC转换系统。

2024-03-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

【选型】可用于无线充电器的MOSFET选型推荐

无线充电器主要是指手机无线充电器，无线充电器是利用电磁感应原理进行充电的设备，本文主要介绍无线充电器的工作方式、工作原理、电路分析及锐骏半导体的MOSFET推荐。

2022-03-03 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

SGMNM05330 30V，电源，单N沟道，TDFN封装，MOSFET

描述- 该资料介绍了SGMNM05330型MOSFET的特性、参数和应用。这是一种高功率单通道MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和电容损耗等特点，适用于PWM应用、电源负载开关和电池管理无线充电器等领域。

型号- SGMNM05330TTEN6G/TR,SGMNM05330TTEO6G/TR,SGMNM05330

DECEMBER 2021 - SGMICRO - 数据手册 - REV. A 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【产品】4V-15V输入，15W高集成度高效电源管理芯片SCT63140，可用于无线充电器

芯洲科技推出的SCT63140是一款用于无线充电器的高集成度电源管理芯片，输出功率可支持15W。可搭配专用无线充电发射控制芯片或者通用MCU实现符合WPC标准的高性能、高效和高性价比的无线充电发射器。SCT63140内置驱动和由4个MOSFET管组成全桥功率级，5V固定输出LDO，3.3V输出LDO以及电流检测。专有的驱动级设计技术可帮助系统实现更好的抗EMI特性。

2021-07-10 - 产品代理服务技术支持采购服务

RZC4606B双增强模式MOSFET（N和P沟道）

描述- RZC4606B是一款采用先进沟槽技术的增强型MOSFET，具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该产品由N沟道和P沟道互补MOSFET组成，适用于各种应用，如笔记本电脑电源管理、车载充电器、无线充电器、便携式设备和电池供电系统。

型号- RZC4606B

2019/4/28 - 瑞之辰 - 数据手册 - Version:1.1 代理服务技术支持采购服务

【选型】揭秘高效电源如何选择合适的MOS管

开关电源中MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对其工作性能产生重大影响，如何确保所选择的MOS管能够承受连续电流和脉冲尖峰成为关键所在。

2016-11-23 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

101749 MOSFET RoHS（SGS）测试报告（ETR24600734M01）

型号- 101749

14-June-2024 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 测试报告代理服务技术支持采购服务

YJS07NP03A N沟道和P沟道互补功率MOSFET

描述- 本资料介绍了YJS07NP03A型N沟道和P沟道互补功率MOSFET的特性。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高密度单元设计和高速开关等特点。资料提供了绝对最大额定值、电学特性参数、典型性能曲线和应用领域等信息。

型号- YJS07NP03A

30-Feb-20 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.3.0 代理服务技术支持采购服务

【选型】机顶盒的编解码器/调制解调器上的元器件MOSFET、二极管、ESD瞬态电压抑制器选型推荐

机顶盒，在家庭影视系统中主要负责是视频信号的接收与处理。其解码器/调制器能够将模拟视频信号转换成数字信号，然后在电视上放映出来。Central推出的MOSFET(CMPDM7002AG)；二极管(CMPD4150)和ESD瞬态电压抑制器(CSL05D/CMPLC1V5D/CMXTVS5-4)，性能优异，封装尺寸较小，能够应用在解码器/调制解调器中，提升机顶盒工作性能。

2019-08-20 - 器件选型代理服务技术支持采购服务