【产品】国产N沟道增强型MOSFET FTS01N15G，规格为150V/450mΩ，适用于继电器驱动

时间： 2022-06-01 来源：方舟微

技术问答

FTS01N15G是方舟微旗下的一款N沟道增强型MOSFET，其漏源击穿电压最小值150V（V_GS=0V，I_D=250µA），静态漏源通态电阻典型值450mΩ（V_GS=5V，I_D=1A，脉冲宽度≤380μs，占空比≤2%），结到环境的热阻为83.3℃/W。可应用于继电器驱动、高速线路驱动器和逻辑电平转换器等应用中。

FTS01N15G的特性：

➢ESD提升能力

➢ 高密度单元设计，可实现极低的R_DS(ON)

➢ 坚固的多晶硅栅单元结构

➢ 符合RoHS标准

➢ 无卤素

FTS01N15G的应用：

➢ 继电器驱动

➢ 高速线路驱动器

➢ 逻辑电平转换器

FTS01N15G的最大额定值参数（T_A=25℃，除非特别说明）：

[1] T_J=+25℃ ~ +150℃

[2] 重复额定值，脉冲宽度受限于最大结温

[3] 测试条件：JEDEC EIA/JESD22-A114 (HBM)

FTS01N15G的订购信息：

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产品型号	品类	击穿电压(V)	额定电流(A)	阈值电压(V)	导通电阻(Ohm)典型值	导通电阻(Ohm)最大值	封装形式	备注
FTX30P35G	增强型MOSFET	-350	-0.2	-1～-3	18	30	SOT-89	P Channel MOS

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