【产品】国产N沟道增强型MOSFET FTS01N15G，规格为150V/450mΩ，适用于继电器驱动
FTS01N15G是方舟微旗下的一款N沟道增强型MOSFET，其漏源击穿电压最小值150V（VGS=0V，ID=250µA），静态漏源通态电阻典型值450mΩ（VGS=5V，ID=1A，脉冲宽度≤380μs，占空比≤2%），结到环境的热阻为83.3℃/W。可应用于继电器驱动、高速线路驱动器和逻辑电平转换器等应用中。
FTS01N15G的特性：
➢ESD提升能力
➢ 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
➢ 坚固的多晶硅栅单元结构
➢ 符合RoHS标准
➢ 无卤素
FTS01N15G的应用：
➢ 继电器驱动
➢ 高速线路驱动器
➢ 逻辑电平转换器
FTS01N15G的最大额定值参数（TA=25℃，除非特别说明）：
[1] TJ=+25℃ ~ +150℃
[2] 重复额定值，脉冲宽度受限于最大结温
[3] 测试条件：JEDEC EIA/JESD22-A114 (HBM)
FTS01N15G的订购信息：
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产品型号
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品类
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击穿电压(V)
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额定电流(A)
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阈值电压(V)
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导通电阻(Ohm)典型值
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导通电阻(Ohm)最大值
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封装形式
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备注
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FTX30P35G
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增强型MOSFET
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-350
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-0.2
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-1～-3
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18
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30
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SOT-89
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P Channel MOS
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