【产品】传输速率高达300MT/s的DDR4-3200 DRAM模块，工作电压仅1.2V

时间： 2021-03-24 来源：ATP

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高达3200MT/s的传输速率优化了最新的高性能Intel和AMD平台。

由于最新一代处理器性能的提高，系统运行速度更快，处理数据的速度也更快。当CPU变得更快时，它们也需要更快的内存。ATP Electronics推出的DDR4-3200解决方案，充分发挥了AMD EPYC™ 系列和第二代Intel®Xeon®可扩展处理器（以前分别代号为Rome和Cascade Lake）的性能，也可用于未来的AMD Milan和Genoa以及Intel® Cooper Lake和Ice Lake处理器。

ATP的DDR4-3200如何为这些高性能平台提供内存性能的提升，并为需要速度、耐久性和可靠性的嵌入式应用程序提供加速性能？

通过更高的接口速度、模块容量和峰值传输速率来提高性能

ATP DDR4-3200 DRAM模块即使在满载时也能以相同的速度运行。随着接口速度从2666MT/s提高到3200MT/s，它们将理论峰值性能提高了20%。其传输数据的速度比目前最快的DDR3版本之一的DDR3-1866快70%。

企业级版本容量高达128 GB ，这比DDR3的32GB容量有了一个重大的飞跃。峰值传输速率高达25600 MB/s，极大地提高了不断增长的嵌入式和云计算环境的能力，以满足大规模、内存密集型和多样化（I）IoT/AI工作负荷的需求。

表1.显示了DDR3-1866和DDR4-3200之间的差异

表1. DDR3-1866 vs. DDR4-3200

图1.性能比较：DDR3-1866与DDR4-3200

低功耗设计，提高能源效率

与DDR3的1.5V或1.35V相比，DDR4-3200仅工作在1.2V的电压，因此可以以更高的速度运行，而没有更高的电源和散热要求。更高的能源效率意味着更低的能耗和更大的节约。通过实施最快的低功耗IC设计，ATP DDR4-3200模块可实现具有成本效益的可扩展性和内存占用空间的扩展，以适应未来的需求。

HPC应用的理想选择

ATP DDR4-3200解决方案最适合要求大容量，低功耗，出色的可扩展性和效率的高性能计算（HPC）应用，例如：

· 电信基础设施

· 网络存储系统

· 网络附加存储（NAS）服务器

· 微型/云服务器

· 嵌入式系统（例如工业PC）

在极端环境中实现极高可靠性的模块级TDBI测试

具有宽温度IC的ATP DDR4-3200 DRAM模块在恶劣的环境中（包括-40°C至85°C的极端温度）能可靠运行。ATP在老化测试（TDBI）期间进行模块级测试，以暴露故障模块，检测并筛选出甚至低至0.01％的错误，从而最大程度的确保模块的可靠性和长期耐久性。

ATP TDBI系统对DRAM模块进行极端的高/低温，高低电压和模式测试。该系统包括：

· 微型试验箱。仅隔离被测模块来进行温度循环测试，以免对其余测试系统产生热应力。这样可以最大程度地减少其他测试组件（例如母板）的故障。在传统的大型热室中，考虑到整个系统的热应力，非DRAM相关测试元件的故障是恒定的。

· 主板上的模块直立板适配器，可轻松将模块插入生产级的组件中。

· 多个温度传感器，可调节温度曲线，在-40°C~95°C的宽测试温度范围内运行。

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