【产品】传输速率高达300MT/s的DDR4-3200 DRAM模块,工作电压仅1.2V
高达3200MT/s的传输速率优化了最新的高性能Intel和AMD平台。
由于最新一代处理器性能的提高,系统运行速度更快,处理数据的速度也更快。当CPU变得更快时,它们也需要更快的内存。ATP Electronics推出的DDR4-3200解决方案,充分发挥了AMD EPYC™ 系列和第二代Intel®Xeon®可扩展处理器(以前分别代号为Rome和Cascade Lake)的性能,也可用于未来的AMD Milan和Genoa以及Intel® Cooper Lake和Ice Lake处理器。
ATP的DDR4-3200如何为这些高性能平台提供内存性能的提升,并为需要速度、耐久性和可靠性的嵌入式应用程序提供加速性能?
通过更高的接口速度、模块容量和峰值传输速率来提高性能
ATP DDR4-3200 DRAM模块即使在满载时也能以相同的速度运行。随着接口速度从2666MT/s提高到3200MT/s,它们将理论峰值性能提高了20%。其传输数据的速度比目前最快的DDR3版本之一的DDR3-1866快70%。
企业级版本容量高达128 GB ,这比DDR3的32GB容量有了一个重大的飞跃。峰值传输速率高达25600 MB/s,极大地提高了不断增长的嵌入式和云计算环境的能力,以满足大规模、内存密集型和多样化(I)IoT/AI工作负荷的需求。
表1.显示了DDR3-1866和DDR4-3200之间的差异
表1. DDR3-1866 vs. DDR4-3200
图1.性能比较:DDR3-1866与DDR4-3200
低功耗设计,提高能源效率
与DDR3的1.5V或1.35V相比,DDR4-3200仅工作在1.2V的电压,因此可以以更高的速度运行,而没有更高的电源和散热要求。更高的能源效率意味着更低的能耗和更大的节约。通过实施最快的低功耗IC设计,ATP DDR4-3200模块可实现具有成本效益的可扩展性和内存占用空间的扩展,以适应未来的需求。
HPC应用的理想选择
ATP DDR4-3200解决方案最适合要求大容量,低功耗,出色的可扩展性和效率的高性能计算(HPC)应用,例如:
· 电信基础设施
· 网络存储系统
· 网络附加存储(NAS)服务器
· 微型/云服务器
· 嵌入式系统(例如工业PC)
在极端环境中实现极高可靠性的模块级TDBI测试
具有宽温度IC的ATP DDR4-3200 DRAM模块在恶劣的环境中(包括-40°C至85°C的极端温度)能可靠运行。ATP在老化测试(TDBI)期间进行模块级测试,以暴露故障模块,检测并筛选出甚至低至0.01%的错误,从而最大程度的确保模块的可靠性和长期耐久性。
ATP TDBI系统对DRAM模块进行极端的高/低温,高低电压和模式测试。该系统包括:
· 微型试验箱。仅隔离被测模块来进行温度循环测试,以免对其余测试系统产生热应力。这样可以最大程度地减少其他测试组件(例如母板)的故障。在传统的大型热室中,考虑到整个系统的热应力,非DRAM相关测试元件的故障是恒定的。
· 主板上的模块直立板适配器,可轻松将模块插入生产级的组件中。
· 多个温度传感器,可调节温度曲线,在-40°C~95°C的宽测试温度范围内运行。
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