【产品】200V、1000V/3.0A硅整流器,正向浪涌峰值电流100A

2018-12-01 Central
硅整流器,CPD06-1N5550,CPD06-1N5554,Central Semiconductor 硅整流器,CPD06-1N5550,CPD06-1N5554,Central Semiconductor 硅整流器,CPD06-1N5550,CPD06-1N5554,Central Semiconductor 硅整流器,CPD06-1N5550,CPD06-1N5554,Central Semiconductor

Central半导体公司推出的CPD06-1N5550硅整流器CPD06-1N5554硅整流器,具有高平均正向电流、高抗浪涌电流、低正向压降、低反向电流等特点,其操作和存储结温范围均为-65℃~+150℃,能够适应较为恶劣的工业环境,满足大部分环境上的需求,可靠性较高。


两款硅整流器在最大额定参数方面的区别之处是:CPD06-1N5550/CPD06-1N5554硅整流器的反向重复峰值电压VRRM分别为200V、1000V; 直流阻断电压VR分别为200V、1000V,反向电压有效值VR(RMS)分别为140V、700V。当TA=55°C时,两款硅整流器的平均正向电流IO均为3.0A。在8.3 ms的持续时间内,两款硅整流器正向浪涌峰值电流IFSM为100A,有着很强的抗浪涌能力,使器件拥有较高的稳定性。

 

CPD06-1N5550、CPD06-1N5554两款硅整流器在电气参数方面存在的区别之处较多,但都具有超低反向电流、低正向压降等特点。CPD06-1N5550/CPD06-1N5554硅整流器IR的最大值为1.0μA;当正向电流IF=3.0A时,正向压降VF的最大值分别为1.0V、1.1V,两款硅整流器的导通损耗较低;它们还拥有很低的反向恢复时间,当IF=0.5A,IR=,1.0A,Irr=0.25A时,CPD06-1N5550/CPD06-1N5554硅整流器trr最大值分别为2.0μs、4.0μs。此外,当VR=0,f=1.0MHz时,两款硅整流器的结电容CJ的最大值均为120pF,低结电容可使器件响应速度更快。


图1. CPD06-1N5550、CPD06-1N5554系列通用型整流器的机械尺寸


CPD06-1N5550硅整流器、CPD06-1N5554硅整流器的产品特点:

•高平均正向电流IO均为3.0A@TA=55°C

•高抗浪涌电流,正向浪涌峰值电流IFSM为100A

•超低反向电流IR的最大值仅为1.0μA

低正向压降VF的最大值分别为1.1V


CPD06-1N5550、CPD06-1N5554系列硅整流器的应用领域:

•商业

•工业

•娱乐

•计算机应用

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型号- 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