【经验】简析功率MOSFET的开关特性及其温度特性
本篇将介绍ROHM推出MOSFET的开关特性及其温度特性。
MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间,这些参数的测量受测量条件和测量电路的影响较大,因此一般确认提供条件。对于温度特性,开关特性几乎不受温度变化的影响。详细讲解见下文。
MOSFET的开关特性
在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间:Td(on)、上升时间:tr、关断延迟时间::Td(off)、下降时间:tf。下面是从以ROHM低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号,各厂家间可能多少有些不同。例如,导通(关断)延迟时间与Turn-on (off)delay time,上升(下降)时间与 rising (falling) time 或 rise (fall) time等。
这些与开关相关的参数,受测量电路的信号源阻抗和漏极负载电阻RL的影响较大。 因此,基本上会规定测量条件,提供测量电路。一般技术规格中会提供上例中所示的VDD、VGS、ID、RL、RG的条件。规定的条件适用于提供的测量电路。
另外,因为是时间参数,因此其参数规定可能是“从哪里到哪里的时间”。
>导通延迟时间:从VGS上升10%到VDS上升10%的时间
>上升时间:从VDS上升10%到90%的时间
>关断延迟时间:从VGS下降90%到VDS下降90%的时间
>下降时间:从VDS下降90%到10%的时间
这里的VDS“上升/下降”的表达从波形看可能好像是反的,这是因为输出是反转的。例如,导通时间可解释为“VGS上升到10%后,到MOSFET导通10%的时间”。
开关特性的温度特性
这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加10%左右,因此可以认为几乎没有温度依赖性。下面是实测例。
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duanmaxie Lv8. 研究员 2019-01-03学习
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型号- BD7673AG,DTC143TE3,SMLEN3BC8T,DTC014EM,ML7183 [J],KA2004-H05N20A,BM2LB300FJ-C,RCJ220N25,BU7295S,SML-S13UT,BU43XXG SERIES,DTC143TEB,SML-D12V□8□WT86□□□□,RSX101VYM30,BH25RB1WGUT,BD7602GUL,BD82001FVJ-LB,BD12IC0MEFJ-LB,R6002JND4,SDR,BD60A00NUX,RB238NS150,RCX160N20,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,BR25H128,RBE2VAM20A,BD70GA5MEFJ-LB,SML-811UT (A),BM61M41RFV-C,SML-010VT,BD9C301FJ,BU1BTD2,DTA124XM,ECO 200,BD15GC0MEFJ-LB,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,LA-601VB/VL,RB298T100,DTC143TCA,BD18HC0MEFJ-M,BD46EXX1G-M,RSS060P05,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,BD30IC0W,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,DTA123JKA,BD6995FV,BH76206HFV,KD2002-G0JB10A,BD8158FVM,BR24HXXX-5AC系列,SML-S13VT,RD3P175SN,BU97941FV,HS8K11,BD53XXG-2M SERIES,RQ5L015SP,BH7673G,SML-811UT (C),SML-Z14Y4T,BD52XXG-2C,BM2P10B3J-Z,BD47XXG SERIES,BD6046GUL,BU7291S,RGW60TS65HR,KDZLV SERIES,SML-Z14UT (C),BUS1DJC0GWZ,BD18HC5MEFJ-M,SML-D12Y3W,BM2P0361K-Z,SMLVN6RGBFU1 (C),LA-301EB/EL,SML-P11YT 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【产品】60.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120B1/K1
WM1A040120B1、WM1A040120K1是中电国基南方的两款60.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET,漏源通态电阻50 mΩ,工作结温最高可达175℃。WM1A040120B1晶片尺寸为4.6×5.0mm²,WM1A040120K1采用TO-247-3封装。阻断电压高、导通电阻低,电容低、能高速开关,易于并联使用,驱动简单。
新产品 发布时间 : 2020-06-18
【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL,采用先进的双沟槽技术,具有快速开关等特性
BLP038N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5X6封装,降低了导通损耗,提升了开关性能,提高了雪崩能量,适用于同步整流和高速开关应用。
产品 发布时间 : 2023-05-20
国产1200V/80mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH,TO-247-3L封装,符合RoHS要求
瑶芯微1200V 、80mohm碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH具备高耐压、低漏源导通电阻,高速开关速度、低电容,低反向恢复电流、快速本征二极管等特性,无卤素,符合RoHS要求,适用于可再生能源,EV电池充电器,高压DC/DC转换器,开关电源。
新产品 发布时间 : 2022-12-10
【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K,连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K,采用TO-247-3封装,具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时,其漏源电压的最大额定值为1700V(VGS=0V,ID=100μA)。
产品 发布时间 : 2023-03-10
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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