【产品】扬杰科技推出的YJJ03G10A型N沟道增强型场效应晶体管，静态漏源导通电阻不超过140mΩ
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJJ03G10A，采用SOT-23-6L封装，漏源电压最大额定值为110V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过140mΩ（VGS=10V，ID=3A）。产品具有出色的散热封装，结温和存储温度范围均为-55~+150℃，主要用于DC-DC转换器及电源管理功能等领域。
图1 产品实物图
此外，在Tc= 25℃条件下，YJJ03G10A的漏极电流最大额定值可达3A，脉冲漏极电流最大额定值12A，总耗散功率额定值最大为1.5W。器件的结壳热阻（稳态）最大额定值为52℃/W，散热性能优异。
产品概要
●VDS 最大110V
●ID 最大3A
●RDS（ON）（VGS = 10V时）＜140 mohm
●RDS（ON）（VGS = 4.5V时）＜250mohm
●分离栅沟槽MOSFET技术
●出色的散热封装
●低RDS（ON）的高密度单元设计
应用领域：
●DC-DC转换器
●电源管理功能
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