【产品】漏极连续电流可达36A的N沟道增强型碳化硅MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，反向恢复时间仅14ns

时间： 2018-11-19 来源：Wolfspeed

技术问答

WOLFSPEED是SiC市场的领头羊，能够提供业界一流的功率产品和专用的SiC材料供应，提供了绝大部分正在使用的SiC晶圆，在业内地位超绝。Wolfspeed推出的碳化硅功率MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，该器件为N沟道增强型MOSFET，设计上采用了该公司独特的C3M^TMMOSFET技术。此款产品具有低导通电阻和高阻断电压的特点，易于驱动。且具有较高的电气安全性，低电容特性。实物轮廓如图1所示，可用于太阳能逆变器，EV电池充电器，高压DC/DC转换器以及开关电源。

图1 CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的产品示意图

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的晶片尺寸为2.25×2.95（mm），具有体积小、重量轻、壳体坚固等优点。CPM3-1000-0065B的漏源电压最大额定值为1000V，它的栅极-源极电压最大范围为-8到+19V（动态），栅极-源极电压最大范围为-4到+15V（静态）。该器件的漏极连续电流最大额定值在V_GS=15V，T_C=25˚C的条件下为36A，在V_GS=15V，T_C=100˚C的条件下为23A。该器件的操作温度和存储温度均为-55℃到+150℃，CPM2-1700-0045B碳化硅MOSFET裸片的最高加工温度为325°C，符合军品级器件的温度要求，能够胜任各种苛刻的应用环境，可靠性极高；在测试温度为25℃时，CPM3-1000-0065B的栅极阈值电压V_GS_（th）在V_DS=V_GS，I_D=5mA的条件下，最小值为1.8V，典型值为2.1V，最大值为3.5V。CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的漏源漏电流I_DSS在V_DS=1000V，V_GS=0V的条件下，典型值为1uA，最大值为100uA，漏电流引起的危害较小。它的漏源通态电阻R_DS(on)较低，在V_GS=15V，I_D=20A时，典型值为65mΩ，最大值为78mΩ，能够有效降低导通损耗，减少产热，提高工作效率。

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的输出电容典型值仅为60pF，反向传送电容典型值只有4.0pF，低电容快速充放电的效果使其响应时间进入了纳秒级别。CPM3-1000-0065B的响应上升时间t_r仅为10ns，下降时间t_f仅为8ns，符合快速开关的特性。其内置二极管的反向恢复电量Q_rr仅为310nC，从而导致其反向恢复时间t_rr低至14ns，具有超快速响应的特点，适合用在快速响应开关系统中。

图3 CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的典型电气特征图

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的产品特性：

•新的C3M^TM SiC MOSFET技术

•高阻断电压，低导通电阻

•高电平开关，电容低

•低反向恢复

•高系统效率

•降低冷却要求

•增加功率密度

•提高系统切换频率

•工作及存储温度范围：-55°C~+150°C

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的市场应用：

•太阳能逆变器

•EV电池充电器

•高压DC/DC转换器

•开关电源

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由爱吃菠萝的小先生翻译自Wolfspeed，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证

瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证（AEC-Q101）。

新产品发布时间 : 2023-06-26

【产品】碳化硅MOSFET FF06320，符合RoHS和无卤素标准，适用于开关电源等领域

FF06320是即思创意推出的碳化硅MOSFET，符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下，漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA)，漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源，功率因数校正，便携式适配器，通信电源，可再生能源，D类放大器领域。

新产品发布时间 : 2022-09-01

国产1200V/80mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH，TO-247-3L封装，符合RoHS要求

瑶芯微1200V 、80mohm碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH具备高耐压、低漏源导通电阻，高速开关速度、低电容，低反向恢复电流、快速本征二极管等特性，无卤素，符合RoHS要求，适用于可再生能源，EV电池充电器，高压DC/DC转换器，开关电源。

新产品发布时间 : 2022-12-10

B2M040120Z SiC MOSFET

型号- B2M040120Z

数据手册 - 基本半导体 - Rev. 0.1 - 2023-08-10 PDF 英文下载查看更多版本

G1M030120K7 Silicon Carbide MOSFET

型号- G1M030120K7

数据手册 - 泰科天润 - Rev. X.1 - 2024/7/31 PDF 英文下载

【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFET FF06030系列，具有更高的系统效率，允许使用高温应用

即思创意推出的碳化硅MOSFET–Falcon Series FF06030具有快速切换行为的优化RDS(on)，能够与标准栅极驱动器兼容，雪崩耐受性强。其具有更高的系统效率，允许使用高温应用并进行高频操作，可靠性高，符合RoHS标准且无卤素。

产品发布时间 : 2022-08-30

碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电，具备更高的效率、开关频率

碳化硅技术带来了更高的效率，可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时，更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸，实现更高的功率密度。此外，低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。

应用方案发布时间 : 2024-08-26

B2M030120Z SiC MOSFET

型号- B2M030120Z

数据手册 - 基本半导体 - Rev. 0.0 - 2024-07-18 PDF 英文下载

【产品】N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT3，静态漏源导通电阻典型值80mΩ

ASC30N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET，采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性；低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。

产品发布时间 : 2022-07-22

FF06030 Silicon Carbide MOSFET Product Datasheet

型号- FF06030,FF06030Q,FF06030E-3

数据手册 - 即思创意 - Rev. Tentative - Nov. 2021 PDF 英文下载查看更多版本

B2M030120H SiC MOSFET

型号- B2M030120H

数据手册 - 基本半导体 - Rev. 0.0 - 2024-05-28 PDF 英文下载

【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。

设计经验发布时间 : 2019-12-17