【产品】漏极连续电流可达36A的N沟道增强型碳化硅MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，反向恢复时间仅14ns

时间： 2018-11-19 来源：Wolfspeed

WOLFSPEED是SiC市场的领头羊，能够提供业界一流的功率产品和专用的SiC材料供应，提供了绝大部分正在使用的SiC晶圆，在业内地位超绝。Wolfspeed推出的碳化硅功率MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，该器件为N沟道增强型MOSFET，设计上采用了该公司独特的C3M^TMMOSFET技术。此款产品具有低导通电阻和高阻断电压的特点，易于驱动。且具有较高的电气安全性，低电容特性。实物轮廓如图1所示，可用于太阳能逆变器，EV电池充电器，高压DC/DC转换器以及开关电源。

图1 CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的产品示意图

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的晶片尺寸为2.25×2.95（mm），具有体积小、重量轻、壳体坚固等优点。CPM3-1000-0065B的漏源电压最大额定值为1000V，它的栅极-源极电压最大范围为-8到+19V（动态），栅极-源极电压最大范围为-4到+15V（静态）。该器件的漏极连续电流最大额定值在V_GS=15V，T_C=25˚C的条件下为36A，在V_GS=15V，T_C=100˚C的条件下为23A。该器件的操作温度和存储温度均为-55℃到+150℃，CPM2-1700-0045B碳化硅MOSFET裸片的最高加工温度为325°C，符合军品级器件的温度要求，能够胜任各种苛刻的应用环境，可靠性极高；在测试温度为25℃时，CPM3-1000-0065B的栅极阈值电压V_GS_（th）在V_DS=V_GS，I_D=5mA的条件下，最小值为1.8V，典型值为2.1V，最大值为3.5V。CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的漏源漏电流I_DSS在V_DS=1000V，V_GS=0V的条件下，典型值为1uA，最大值为100uA，漏电流引起的危害较小。它的漏源通态电阻R_DS(on)较低，在V_GS=15V，I_D=20A时，典型值为65mΩ，最大值为78mΩ，能够有效降低导通损耗，减少产热，提高工作效率。

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的输出电容典型值仅为60pF，反向传送电容典型值只有4.0pF，低电容快速充放电的效果使其响应时间进入了纳秒级别。CPM3-1000-0065B的响应上升时间t_r仅为10ns，下降时间t_f仅为8ns，符合快速开关的特性。其内置二极管的反向恢复电量Q_rr仅为310nC，从而导致其反向恢复时间t_rr低至14ns，具有超快速响应的特点，适合用在快速响应开关系统中。

图3 CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的典型电气特征图

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的产品特性：

•新的C3M^TM SiC MOSFET技术

•高阻断电压，低导通电阻

•高电平开关，电容低

•低反向恢复

•高系统效率

•降低冷却要求

•增加功率密度

•提高系统切换频率

•工作及存储温度范围：-55°C~+150°C

CPM3-1000-0065B碳化硅MOSFET裸片的市场应用：

•太阳能逆变器

•EV电池充电器

•高压DC/DC转换器

•开关电源

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