【产品】4M-bit串行接口闪存TH25D-40UA，最大工作电压为4.0V，直流输出电流5.0mA
紫光青藤TH25D-40UA是4M-bit串行接口闪存设备，专为大容量消费类应用而设计，程序代码从闪存映射到嵌入式内部或外部RAM中来执行。产品擦除架构灵活，页面擦除粒度较好，无需额外的存储设备，是数据存储的理想选择。
设备的擦除块大小已经过优化，内存空间利用效率更高。某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在特定的擦除区域中，从而减少了对大扇区和大块擦除闪存设备中的内存空间占用。内存空间利用效率的提高增加了代码例程和数据存储段的容量，同时仍保持相同的总体设备密度。
产品还包含额外的3*512字节安全寄存器，带有OTP锁（一次性可编程），可用于唯一设备序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等目的。
该产品支持不同系统的读取、编程和擦除操作，电源电压范围为1.65V到3.6V。编程和擦除无需单独的电压。
图1 功能框图
最大额定值方面，工作温度为-40~85℃，存储温度为-65~150℃，最大工作电压为4.0V，引脚上的对地电压为-0.6~4.1V，直流输出电流为5.0mA。
概述
●单电源电压1.65V到3.60V，用于读取，擦除和编程操作
●工业级温度范围-40~85℃
●串行外设接口（SPI）兼容：
-Mode 0 and Mode 3
●单路和双路IO模式
-4Mx1bit
-2Mx2bits
●灵活的代码和数据存储架构
-Uniform 256-byte 页面编程
-Uniform 256-byte 页面擦除
-Uniform 4K-byte 扇区擦除
-Uniform 32K/64K-byte 块擦除
-整片擦除
性能表现
●快速读取
-2 I/O，104MHz具有4个空指令周期，相当于208M
-1 I/O，104MHz具有8个空指令周期
●快速编程和擦除速度
-1.3ms，页面编程时间
-10ms，页面擦除时间
-10ms，4K字节的扇区擦除时间
-10ms，32K字节块擦除时间
-10ms，64K字节块擦除时间
●超低功耗
-0.1μA，深度掉电电流
-10μA，待机电流
-1mA，33MHz的有效读取电流
-1.8mA，有效编程或擦除电流
●高可靠性
-100,000次编程/擦除
-20年数据保留
硬件特征
●硬件保护模式
-通过WP引脚硬件控制锁定受保护扇区
●行业标准绿色包装选项
-8-pin SOP(150mil/200mil)
-8-land USON(2x3mm)
-8-land WSON(6x5mm)
-8-pin TSSOP
-WLCSP
-KGD for SiP
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