【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM6594，栅极阈值电压典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ

时间： 2019-06-25 来源：AiT

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N沟道增强型功率MOSFET,AM6594,AM6594J8VR,AM6594J8R

AIT推出的AM6594是N沟道增强型功率MOSFET，它使用沟槽DMOS技术，专门用于最大限度地降低导通电阻，提供卓越的快速开关性能，并且可以在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 AM6594栅极阈值电压VGS(th)典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ，损耗小，非常适合高效率高开关频率场合的应用，可用于无线充电、DC / DC变换器以及负载开关的应用设计。 AM6594采用DFN8（5x6）封装，其引脚分布图如图1所示，

图1 AM6594引脚分布图

AM6594产品特性

•VDS = 30V, ID = 50A

VGS=10V时，RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)

VGS=4.5V时，RDS(ON)=5.6mΩ(典型值)

•低栅极电荷

•100％UIS和Rg测试

•高功率和优异的电流处理能力

•采用DFN8（5x6）封装

AM6594应用领域

•无线充电

•DC / DC变换器

•负载开关

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