【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM6594，栅极阈值电压典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ

时间： 2019-06-25 来源：AiT

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

N沟道增强型功率MOSFET,AM6594,AM6594J8VR,AM6594J8R

AIT推出的AM6594是N沟道增强型功率MOSFET，它使用沟槽DMOS技术，专门用于最大限度地降低导通电阻，提供卓越的快速开关性能，并且可以在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 AM6594栅极阈值电压VGS(th)典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ，损耗小，非常适合高效率高开关频率场合的应用，可用于无线充电、DC / DC变换器以及负载开关的应用设计。 AM6594采用DFN8（5x6）封装，其引脚分布图如图1所示，

图1 AM6594引脚分布图

AM6594产品特性

•VDS = 30V, ID = 50A

VGS=10V时，RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)

VGS=4.5V时，RDS(ON)=5.6mΩ(典型值)

•低栅极电荷

•100％UIS和Rg测试

•高功率和优异的电流处理能力

•采用DFN8（5x6）封装

AM6594应用领域

•无线充电

•DC / DC变换器

•负载开关

AM6594订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由cucumber翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装

RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。

2019-11-22 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102

AiT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。

2019-10-18 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用

AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。

2019-07-27 - 新产品代理服务技术支持批量订货

AM50N06 MOSFET 60V 50A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

型号- AM50N06,AM50N06PJ8R,AM50N06PJ8VR

OCT 2024 - AIT - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持批量订货

RMD2060S6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RMD2060S6

2023-06 - 丽正国际 - 数据手册 - REV:O 代理服务技术支持批量订货

AM032NS08H 85V 200A N-CHANNEL ENHANCED POWER MOSFET

型号- AM032NS08HPH8VR,AM032NS08HPH8R,AM032NS08H

JUN 2023 - AIT - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持批量订货

【产品】采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V

锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V，TC=25℃时，连续漏极电流为90A（VGS=10V）。该器件无铅和绿色环保，适用于DC/DC转换器、负载开关和同步整流。

2022-09-14 - 产品代理服务技术支持批量订货

AM3400 MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

型号- AM3400E3R,AM3400,AM3400E3VR

JUL 2016 - AIT - 数据手册 - REV2.0 代理服务技术支持批量订货

JMPC840BJ JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- JMPC840BJ,JMP

2024/5/27 - 捷捷微电 - 数据手册 - Version：1.1 代理服务技术支持批量订货

【产品】30V/5.8A N沟道增强型功率MOSFET RM3400A，采用SOT-23-3L封装

丽正国际推出的RM3400A是一款N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）以及极低栅极的电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作电池保护或其他开关应用。在环境温度为25°C时，RM3400A漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为5.8A。

2019-11-05 - 新产品代理服务技术支持批量订货