【技术】ROHM介绍第4代SiC MOSFET的特点
本文ROHM将为您介绍第4代SiC MOSFET的特点，这也是介绍ROHM第4代SiC MOSFET应用效果的必要前提。
●第4代SiC MOSFET的特点
●在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
-电路工作原理和损耗分析
-DC-DC转换器实机验证
●在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
-EV应用
-装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
-图腾柱PFC实机评估
第4代SiC MOSFET的特点
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。
改善了短路耐受时间并实现了更低导通电阻
第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第3代SiC MOSFET相比，导通电阻降低约40%。第4代SiC MOSFET的导通电阻是业内超低*级别的导通电阻。
*截至2022年2月 ROHM调查数据
图 1
大幅降低寄生电容，开关损耗更低
通过大幅降低栅-漏电容（CGD），成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约50%。
图 2
支持15V栅-源电压驱动，使应用产品的设计更容易
第4代SiC MOSFET将用来驱动MOSFET的栅-源电压VGS降至15V。到第3代SiC MOSFET时，栅-源电压VGS为18V，而第4代则支持15V驱动，这将使应用产品的设计更加容易。
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