【技术】ROHM介绍第4代SiC MOSFET的特点

时间： 2023-08-10 来源：ROHM官网

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本文ROHM将为您介绍第4代SiC MOSFET的特点，这也是介绍ROHM第4代SiC MOSFET应用效果的必要前提。

●第4代SiC MOSFET的特点

●在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
-电路工作原理和损耗分析
-DC-DC转换器实机验证

●在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
-EV应用
-装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
-图腾柱PFC实机评估

第4代SiC MOSFET的特点

ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。

改善了短路耐受时间并实现了更低导通电阻

第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第3代SiC MOSFET相比，导通电阻降低约40%。第4代SiC MOSFET的导通电阻是业内超低*级别的导通电阻。

*截至2022年2月 ROHM调查数据

图 1

大幅降低寄生电容，开关损耗更低

通过大幅降低栅-漏电容（CGD），成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约50%。

20230802_3_02

图 2

支持15V栅-源电压驱动，使应用产品的设计更容易

第4代SiC MOSFET将用来驱动MOSFET的栅-源电压VGS降至15V。到第3代SiC MOSFET时，栅-源电压VGS为18V，而第4代则支持15V驱动，这将使应用产品的设计更加容易。

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型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

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