【产品】高效能8 W GaN HEMT芯片CGH60008D，最大工作频率 6 GHz

时间： 2018-11-03 来源：Wolfspeed

技术问答

WOLFSPEED（原CREE POWER独立更名）成立于1987年，在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。CGH60008D是Wolfspeed推出的一款基于氮化镓（GaN）工艺的高电子迁移率晶体管（HEMT）。对比传统的硅或砷化镓芯片，基于GaN的产品具备更加优异的性能，尤其是在耐高压、饱和电子漂移速度、导热性方面。而且在功率和频带参数指标方面，基于GaN的 HEMT可以提供更为优异的参数表现。

CGH60008D的芯片外形封装尺寸为 820 x 920（+0/- 50）微米，芯片厚度在100（+/- 10）微米，其芯片包装采用Gel-Pak®的形式，并且在运输过程中使用不干胶薄膜固定，保证运输的安全性。生产过程中注意，焊接时建议使用AuSn（80/20）焊料进行操作，使用超声球焊或楔形焊。物料夹取首选真空夹头，芯片注意接地处理。

图1 CGH60008D实物外形图与包装形式

图2 CGH60008D芯片结构框图

CGH60008D极限参数：漏源电压VDSS为84VDC，存储温度-65-+150˚C，工作结温为225˚C，最大正向栅极电流2.1mA，320˚C条件下安装时间不超过30s。

CGH60008D高击穿电压高电子迁移率晶体管的电气性能典型值：栅极阈值电压-3V，静态电压-2.7V，漏极电流2.1A，漏源击穿电压120V，栅极正向电压1.9V，导通电阻1.6Ω。在RF特性方面，其小信号增益为15dB，饱和输出功率达8W，漏极效率POUT / PDC为65%。动态特性方面，输入电容为2.5pF,输出电容为0.5pF，反馈电容0.1pF。

CGH60008D高电子迁移率晶体管典型特点：

4 GHz小信号增益典型值15 dB，6 GHz小信号增益典型值12 dB；

饱和输出功率典型值8 W @28 V，5 W @ 20 V；

高击穿电压，高工作温度，高能效；

最大频率6 GHz；

CGH60008D高电子迁移率晶体管典型应用：

双向私人电台

宽带放大器

蜂窝网络设备

测试设备

A类，AB类线性放大器（OFDM、W-CDMA、 EDGE、 CDMA）

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