【产品】工频0.7~6.0GHz的超低噪声放大器ATR2037，采用8-pinDFN封装，具有动态可调偏置等特征
中科微推出的ATR2037是基于GaAs，pHEMT工艺，具有动态可调偏置，高线性度，高增益及极低的噪声性能的低噪声放大器(LNA)，工作频率为700到6000MHz，采用小型2x2mm，8-pinDFN封装。
内部偏置电路为温度和工艺偏差提供了稳定的电路性能,同时外部留有器件可对偏置电流进行调节。偏置电压通过RFchoke电感加在RFOUT/VDD管脚，RFIN和RFOUT/VDD管脚需加以隔直电容。ATR2037的多个工作频段采用相同PCB，不同的器件参数实现。
图 1 ATR2037 功能框图
图 2 ATR2037 管脚图
特征
工作频率0.7-6GHz
极低的NF：
0.35dB@1.8GHz
0.42dB@2.1GHz
0.50dB@2.5GHz
高OIP3：
38dB@1.8GHz
37dB@2.1GHz
39dB@2.5GHz
高增益：
20dB@1.8GHz
19dB@2.1GHz
17dB@2.5GHz
偏置电流可调范围30到100mA
偏置电压可调范围3到5V
小型DFN（8-pin，2x2mm）封装（MSL1@260℃per JEDEC J-STD-020)
应用
LTE，GSM，WCDMA，HSDPA等宏基站或微基站
L波段超低噪声接收机/S波段超低噪声接收机
移动中继器，光纤分布系统及基站射频拉远单元
可应用于高达+105℃高温收发机
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由JWM转载自中科微，原文标题为:国产低噪放中科微ATR2037在北斗接收机中的应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】0.5-5GHz低噪声放大器GSL805AD，8 PIN 2X2毫米DFN封装
时代速信的GSL805AD是一种低噪声放大器（LNA），采用8 PIN 2X2毫米DFN封装，能在0.5GHz至5GHz的频率范围内工作。支持片上输入/输出匹配电路，采用砷化镓pHEMT工艺制造。
【产品】采用DFN封装的低噪声放大器GSL802AD，工作频率范围为1GHz至2GHz，采用GaAs pHEMT工艺
GSL802AD是一种在1GHz至2GHz频率范围内工作的低噪声放大器（LNA）。该器件包含片上输入/输出匹配电路，并采用GaAs pHEMT工艺制造。其业界领先的噪声系数和高线性度使其成为第一级LNA的理想选择。该LNA集成了Venable偏置能力，以允许在TDD应用中工作。
【产品】工作频率范围为0.5GHz~6GHz的低噪声放大器GSL809BD，工作温度范围为-40℃~+105℃
GSL809BD是时代速信推出的一款低噪声放大器（LNA），工作频率范围为0.5GHz至6GHz。该器件采用GaAs pHEMT工艺制造，片上包含输入/输出匹配电路。其业界领先的噪声系数，加上高线性度，使其成为第一级LNA的理想选择。
【应用】中科微高增益低噪声LNA ATR2701导入双频GNSS定位模组，工作频率覆盖宽，外围电路简单
笔者开发的一款双频GNSS定位模组中前端低噪声信号放大器LNA的增益较小，所以在调试阶段经过多款对比，选择了中科微的高增益低噪声信号放大器ATR2701。ATR2701芯片采用2级放大器的结构设计，具有28 dB高增益和0.85dB的低噪声系数，支持3.3V至5V 宽电源供电。
GSL805AD 0.01G-5 GHz低噪声放大器
描述- GSL805AD是一款工作在0.01GHz至5GHz频率范围内的低噪声放大器（LNA）。该器件采用GaAs pHEMT工艺制造，具有片上输入/输出匹配电路。其特点是低噪声系数、高线性度，适用于作为第一级LNA。GSL805AD集成了可编程偏置能力，支持TDD应用。该产品提供2x2毫米、8引脚DFN封装。
型号- GSL805AD,GSL805AD-TR,GSL805AD-EVB
SGM13005M4低噪声放大器，带旁路开关，适用于LTE中频段和GNSS L1频段
描述- SGM13005M4是一款低噪声放大器（LNA），适用于LTE中频段接收应用或GLONASS、Galileo、北斗和GPS应用。该器件具有高增益、低噪声系数和良好的线性度，适用于1.5V至3.6V的供电电压范围。它还具有旁路开关功能，可在不应用外部直流电压的情况下，无需外部直流阻断电容器，节省PCB面积和成本。
型号- SGM13005M4,SGM13005M4YUEC6G/TR
【应用】国产4.4mA L1频段低噪声放大器用于GPS导航定位天线，噪声系数低至0.71dB
在GPS导航定位天线应用中，需要使用LNA来放大从GPS卫星接收到的微弱信号，可以使用一级LNA或者两级LNA(大约27dB)，采用两段式LNA可以增加信号放大的能力，但是同时也会增加噪声系数和功耗，在此推荐拥有低工作电流的中科微AT2659。
GSL802AD 1-2 GHz低噪声放大器
描述- GSL802AD是一款工作在1GHz至2GHz频段的低噪声放大器（LNA），采用GaAs pHEMT工艺制造。该器件具有业界领先的噪声系数和高线性度，适用于作为第一级LNA。它集成了可编程偏置能力，支持TDD应用。GSL802AD提供2x2毫米、8引脚DFN封装。
型号- GSL802AD
带旁路开关的LTE高频段低噪声放大器SGM13005H2
描述- SGM13005H2是一款专为LTE高带接收应用设计的低噪声放大器（LNA），具有旁路开关功能。该器件具有低噪声系数和高线性度，适用于1.5V至3.6V的供电电压范围。低噪声系数提高了器件的灵敏度，高线性度则增强了抗干扰能力。该产品无需外部直流阻断电容器，节省了PCB面积和成本。
型号- SGM13005H2,SGM13005H2YUEC6G/TR
【应用】低噪声放大器ATR2660S应用于GPS有源天线，L1增益达26.85dB，噪声低至1.18dB
GPS已经广泛应用于导航和无线车载中，为使用无线设备的提供定位功能，GPS天线分为有源天线和无源天线，其中GPS有源天线需由陶瓷天线、滤波器、LAN（低噪声信号模块）、线缆组成，在此应用中推荐一款中科微覆盖L1频段的LNA（低噪声放大器）ATR2660S，
FW1108 600MHz ~ 5.0GHz 高增益高线性低噪声放大器 产品手册
描述- FW1108是一款高性能低噪声放大器，工作频率范围为600MHz至5.0GHz。该产品具有高增益、低噪声系数和高线性度等特点，适用于无线基础通信设施、LTE、W-CDMA、CDMA、GSM等应用。
型号- FW1108
带旁路开关的LTE中频段低噪声放大器SGM13005M4
描述- SGM13005M4是一款专为LTE中频段接收应用设计的低噪声放大器（LNA），具有高增益、低噪声系数和高线性度。该器件适用于1.5V至3.6V的供电电压范围，具有低噪声系数和高增益，提高了灵敏度，同时高线性度使其能够更好地抵抗干扰。
型号- SGM13005M4,SGM13005M4YUEC6G/TR
ATR2037 产品说明书
描述- ATR2037是一款适用于无线通信射频前端的超低噪声放大器，工作频段为0.7至6GHz。它采用GaAs pHEMT工艺设计，具有超低噪声系数、高功率增益和高线性度等特点，适合在高干扰环境中使用。芯片集成有源偏置电路，可通过调整输入端电压来调节工作电流，支持单电源供电和使能控制电路。
型号- ATR2037
ATR2031 0.7-3.8 GHz 超低噪声放大器芯片
描述- ATR2031是一款由杭州中科微电子有限公司生产的超低噪声放大器芯片，适用于无线通信射频前端。该芯片采用GaAs pHEMT工艺设计，具有超宽工作带宽（0.7GHz-3.8GHz）、超低噪声系数、高增益和高线性度等特点，适用于LTE、GSM、WCDMA等宏基站和微基站，以及L和S波段的超低噪声接收机。
型号- ATR2031
用于LTE中频段的SGM13005M1低噪声放大器
描述- 该资料介绍了SGM13005M1是一款适用于LTE中频段的低噪声放大器（LNA）。它具有低噪声系数和高线性度，工作电压范围为1.5V至3.6V。该器件无需外部直流阻塞电容器，并采用绿色UTDFN-1.1x0.7-6L封装。
型号- SGM13005M1,SGM13005M1YUEC6G/TR
电子商城
现货市场
服务
提供辐射发射测试、传导发射预测试、EMI噪声频率扫描服务。消费电子辐射发射预测试频率范围30MHz-1GHz、 车载电子9KHz-3GHz，并针对问题给出EMC整改方案。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论