【产品】100V/6mΩ的N沟道功率MOSFET—JMSL1008AGQ，通过AEC-Q101认证

2022-05-31 捷捷微电
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捷捷微电推出一款采用PDFN5x6-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL1008AGQ，漏源电压最大额定值为100V，连续漏极电流最大额定值高达102A（TC=25°C），具有大电流处理能力。VGS=10V时，ID = 20A时，漏源导通电阻典型值低至6.0mΩ，通过100％UIS和Rg测试，且通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用领域。


产品封装及电路图

 

产品特点

超低导通电阻

低栅极电荷

大电流处理能力

通过100％UIS 和Rg测试

满足AEC-Q101认证

适用于汽车应用领域的功率MOSFET

 

最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)


电气参数(TJ=25℃，除非特别说明)


热性能


订购信息

技术顾问：Batman
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
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N沟道功率MOSFET 汽车应用 JMSL1008AGQ 捷捷微电 管状电机

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