【产品】100V/6mΩ的N沟道功率MOSFET—JMSL1008AGQ，通过AEC-Q101认证
捷捷微电推出一款采用PDFN5x6-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL1008AGQ，漏源电压最大额定值为100V，连续漏极电流最大额定值高达102A（TC=25°C），具有大电流处理能力。VGS=10V时，ID = 20A时，漏源导通电阻典型值低至6.0mΩ，通过100％UIS和Rg测试，且通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用领域。
产品封装及电路图
产品特点
超低导通电阻
低栅极电荷
大电流处理能力
通过100％UIS 和Rg测试
满足AEC-Q101认证
适用于汽车应用领域的功率MOSFET
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)
电气参数(TJ=25℃，除非特别说明)
热性能
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捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型，VDS_Max：-100V~1000V，VGS(th)_Typ：-2V~3.5V等
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产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
|
VGS_Max(V)
|
EAS_Max(mJ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
|
MPQ
|
MOQ
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封装
|
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JMSL040SAGQ
|
MOS
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N
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40V
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387A
|
1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
|
0.8mΩ
|
0.99mΩ
|
±20V
|
506mJ
|
7654pF
|
3738pF
|
44pF
|
114nC
|
3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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