【产品】低电容高速开关N通道SiC MOSFET器件ASR320N650D88，易于并联驱动简单
ASR320N650D88是爱仕特公司推出的一款N沟道SiC MOSFET，使用全新技术，与硅相比具备更出色的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，其优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。其外观和内部结构示意图如下图所示。
图1 外观和内部结构示意图
主要特性：
· 低电容高速开关
· 高阻断电压，低RDS(on)
· 封装优化，具有单独驱动源引脚
· 易于并联，驱动简单
· 符合ROHS标准，无卤素
应用领域：
· 电动汽车充电
· DC/DC转换器
· 开关电源
· 功率因数校正模块
· 太阳能光伏逆变器
Tc=25℃时，ASR320N650D88的漏源电压为650V，耗散功率低至65W，具备优良的电气特性，其他参数的绝对最大额定值如下表所示：
TJ=25℃时，在VDS=600V、f=1MHz、VAC=25mV条件下，ASR320N650D88的输入电容Ciss典型值为339pF，输出电容Coss典型值为20pF，反向传输电容Crss典型值为3.5pF，其他典型静态特性如下表所示：
此外，ASR320N650D88提供DFN8*8封装可选。下图2为其输出特性（TJ=25℃ 左图，TJ=150℃ 右图），下图3为其传输特性。
图2 输出特性（TJ=25℃左图，TJ=150℃右图）
图3 传输特性
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terrydl Lv9. 科学家 2022-10-20学习 -
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棒棒猫 Lv6. 高级专家 2022-01-256666 -
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沉浮 Lv7. 资深专家 2022-01-25了解
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