【产品】N沟道MOSFET AM3406，采用SOT-23封装，极限漏源电压30V
AIT推出的AM3406是N沟道增强型MOSFET，采用了沟槽DMOS技术， 从而使AM3406非常适合高效率的快速开关应用。AM3406可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±20V，在环境温度为 25°C时，可以承受的极限漏极连续电流为6.7A，耗散功率为1.6W，结温和储存温度范围为-55℃ ~ 150℃，在稳定状态下，AM3406的结到环境最大热阻为120℃/W。AM3406采用SOT-23封装，其引脚分布如图1所示。
图1 AM3406引脚分布
AM3406产品特性
·VDS = 30V, ID = 6.7A
VGS=10V时，RDS(ON)=18mΩ(典型值)
VGS=4.5V时，RDS(ON)=23mΩ(典型值)
·开关频率高
·低栅极驱动电压
·高功率和优良的载流能力
·采用SOT-23封装
AM3406应用领域
·笔记本电脑中的电源管理
·便携式设备
·DC / DC变换器
AM3406订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由cucumber翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用SOT-23S封装的N沟道MOSFET AM2300，栅极驱动电压1.8V
AM2300是AiT推出的N沟道MOSFET，可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±12V，在环境温度为 25°C时，可以承受的极限漏极连续电流为5A，总功率耗散为1.0W，结温和储存温度范围为-55°C~150°C。适合高效率、高开关频率的应用，例如手持式仪器,负载开关等。
【产品】SOT-563塑封双路N沟道MOSFET 2N7002V，可用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器
长晶科技推出的2N7002V是SOT-563塑封双路N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关和低输入/输出漏电流的特点。可以作为便携式设备的负载开关，以及DC/DC转换器。
【产品】使用经过独特优化的Super Trench技术的N沟道MOSFET RM110N150HD，导通电阻极低
丽正国际推出的RM110N150HD是一款N沟道MOSFET，具有极低的RDS（ON）和Qg，在环境温度为 25°C时，RM110N150HD可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为110A，是高频开关和同步整流的理想选择。
SM60N03B2 N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了SM60N03B2型号的N-Channel MOSFET产品。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高压耐压（V(BR)DSS）和高电流承载能力（ID）。它适用于DC/DC转换器、便携式设备的负载开关和电池开关等应用。
型号- SM60N03B2
SM60N01B2 N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了SM60N01B2型号的N-Channel MOSFET产品。该器件具有低导通电阻、高压耐压等特点，适用于DC/DC转换器、便携式设备负载开关和电池开关等领域。
型号- SM60N01B2
AM4430 MOSFET 30V，25A N沟道MOSFET
描述- AM4430是一款30V、25A的N通道MOSFET，采用SOP8封装。该产品具有低导通电阻、超低栅极电荷、优异的CdV/dt效应下降和先进的深沟槽技术。资料详细介绍了产品的特性、电气特性、典型性能特性、封装信息和重要注意事项。
型号- AM4430,AM4430M8VR,AM4430M8R
SM30N01 N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了SM30N01型N沟道MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和低压驱动等特点，适用于便携式设备，并支持并联设计。
型号- SM30N01
AM2302A 20V 5A N沟道MOSFET
描述- AM2302A是一款20V 5A N-CH MOSFET，采用SOT-23S封装。该器件具有低栅极驱动电压、快速开关特性，适用于手持仪器、负载开关等应用。
型号- AM2302A,AM2302AE3SVR,AM2302AE3SR
2SK3019 N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了2SK3019 N-channel MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于便携式设备。资料提供了最大额定值、电气特性、动态特性和开关特性等详细信息。
型号- 2SK3019
GP2302 20V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了GP2302，一款20V N-Channel MOSFET产品。该产品具有优异的RDS(on)和低栅极电荷特性，适用于DC/DC转换器、便携式设备的负载开关和电池开关等应用。
型号- GP2302
AM6003 30V，3A N沟道MOSFET
描述- AM6003是一款30V、3A N-CH MOSFET，采用SOT-23封装，适用于小功率开关和负载开关应用。该产品具有超低栅极电荷、低导通电阻和良好的CdV/dt效应衰减特性。
型号- AM6003,AM6003E3R,AM6003E3VR
GP3400 GP3400 30V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了GP3400，一款30V N-Channel MOSFET。该产品具有优异的RDS(on)和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器、便携式设备的负载开关和电池开关等应用。
型号- GP3400
WST3052 N沟道MOSFET
描述- WST3052是一款高性能的沟槽N-沟道MOSFET，具有极高的单元密度，适用于小型电源开关和负载开关应用，提供优异的RDSON和栅极电荷。该产品符合RoHS和绿色产品要求，具有先进的高单元密度沟槽技术、超低栅极电荷、优异的Cdv/dt效应下降和绿色设备可用等特点。
型号- WST3052
GP3400 30V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了GP3400型30V N-Channel MOSFET的特性及应用。该器件采用TrenchFET技术，具有优异的导通电阻和低栅极电荷，适用于直流/直流转换器、便携式设备的负载开关和电池开关等应用。
型号- GP3400
S60N20AB 60V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了S60N20AB型60V N-Channel MOSFET的产品特性、电气特性、热特性、应用领域以及封装机械数据。该产品具有低导通电阻、高电流承载能力、可靠性和环保特性，适用于便携式设备和电池供电系统。
型号- S60N20AB
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论