【产品】N沟道MOSFET AM3406，采用SOT-23封装，极限漏源电压30V
AIT推出的AM3406是N沟道增强型MOSFET，采用了沟槽DMOS技术， 从而使AM3406非常适合高效率的快速开关应用。AM3406可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±20V，在环境温度为 25°C时，可以承受的极限漏极连续电流为6.7A，耗散功率为1.6W，结温和储存温度范围为-55℃ ~ 150℃，在稳定状态下，AM3406的结到环境最大热阻为120℃/W。AM3406采用SOT-23封装，其引脚分布如图1所示。
图1 AM3406引脚分布
AM3406产品特性
·VDS = 30V, ID = 6.7A
VGS=10V时，RDS(ON)=18mΩ(典型值)
VGS=4.5V时，RDS(ON)=23mΩ(典型值)
·开关频率高
·低栅极驱动电压
·高功率和优良的载流能力
·采用SOT-23封装
AM3406应用领域
·笔记本电脑中的电源管理
·便携式设备
·DC / DC变换器
AM3406订购信息
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