【选型】使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例之缓冲电路主要相关部件选型
本文是使用ROHM电源IC BD7682FJ和1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZ设计的隔离型准谐振AC/DC转换器示例介绍内容的其中一篇,主要讲述该电源电路中常用的缓冲电路的组成元器件和常数。
什么是缓冲电路
缓冲电路是抑制浪涌的电路。在本例中是为了抑制输入浪涌而设置在输入端,其实也可用于输出端。由于输入连接于变压器的一次侧,所以受变压器的漏电感影响,当MOSFET从ON变为OFF的瞬间,将产生较大的浪涌电压(尖峰噪声)。这种浪涌电压施加在MOSFET的漏极-源极之间,因此如果产生的浪涌电压超过MOSFET的耐压,可能会造成MOSFET损坏。为了防止MOSFET损坏,插入由RCD(电阻、电容、二极管)组成的缓冲电路以抑制浪涌电压。由于大多数情况下都会产生这种浪涌,因此建议在设计之初就设置缓冲电路。
缓冲电路:Rsnubber1、Csnubber1、及D13、D14、D15、D16
在本例中使用的缓冲电路,由电阻Rsnubber1、电容Csnubber1、以及二极管D13、D14、D15、D16组成,只要去掉D15和D16就是典型的RCD缓冲电路。首先来确定钳位电压和钳位纹波电压,并按R、C、D的顺序确定常数。
1)钳位电压(Vclamp)、钳位纹波电压(Vripple)
钳位电压需要根据MOSFET的耐压考虑到余量来决定。余量取20%。
Vclamp=1700V×0.8=1360V
钳位纹波电压(Vripple)定为50V左右。
2)电阻Rsnubber1
Rsnubber1的选型需要满足以下条件。
这里设漏电感Lleak=Lp×10%=1750µH×10%=175µH,
利用下列公式计算Po=25W、VIN(max)=900V时的Ip和fsw。
根据上述计算:
fsw从161kHz变为120kHz的原因与以前介绍的一样,因为电源IC的最大开关频率为120kHz。Rsnubber1是比计算结果253kΩ小的值,因此定为200kΩ。
Rsnubber1的损耗P_Rsnubber1可利用以下公式进行计算。
考虑到余量,定为2W以上。最终Rsnubber1采用2W、200kΩ的电阻。
3)Csnubbe1
Csnubber1的电容量通过下列公式计算。
由于容量要大于1607pF,所以选择2200pF。
施加于Csnubber1的电压为从Vclamp减去VIN(MAX)后的电压,即1360V-900=460V,因此考虑到余量,Csnubber1的耐压定为600V以上。最终选用2200pF、2kV、10%、X7R、1210封装的陶瓷电容。
4)D13、D14
4个二极管中,D13和D14使用快速恢复二极管。耐压选择MOSFET的Vds(max)=1700V以上的电压。此次串联使用2个通用的UF4007(1000V、1A)。
由于浪涌电压不仅受变压器的漏电感影响,还受PCB板薄膜布线的寄生分量影响,因此需要在组装于实际PCB板中的状态下确认Vds,并根据实际的电压调整缓冲电路。
5)D15、D16
这些二极管是TVS(瞬态电压抑制)二极管,是浪涌吸收元件。当需要获得更优异的保护性能时,可添加TVS来吸收瞬态尖峰噪声。通过确认MOSFET开关时的波形来决定是否使用。施加于这部分的计算值电压与施加于Csnubber1的电压相同,均为460V,因此串联使用2个钳位电压274V的1.5KE200A二极管,来吸收超出的瞬态电压。
关键要点:
・为了抑制输入中的变压器漏电感引发的浪涌,可添加缓冲电路。
・缓冲电路基本上采用RCD型电路,要想获得更优异的保护性能,可添加TVS二极管。
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描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
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ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
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产品型号
|
品类
|
Controller Type
|
Grade
|
Package
|
FET
|
Withstand Voltage [V]
|
On Resistor (MOSFET)[Ω]
|
SW Frequency (Max.)[kHz]
|
Frequency Reduction Function
|
Current Detection Resistors
|
Over Current Detection Voltage (typ.)[V]
|
Dynamic Over Current Detection
|
VCC OVP
|
FB OLP
|
BR UVLO Function
|
BR OVP Function
|
Temperature (Min.)[°C]
|
Temperature (Max.)[°C]
|
BM2P10B1J-Z
|
AC/DC Converters ICs
|
PWM
|
Standard
|
DIP7K
|
Integrated
|
730
|
1
|
100
|
Frequency Reduction Function
|
External
|
0.78
|
Dynamic Over Current Detection
|
Auto Restart
|
Auto Restart
|
BR UVLO
|
BR OVP
|
-40
|
105
|
选型表 - ROHM 立即选型
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产品型号
|
品类
|
Grade
|
Controller Type
|
Vin1 (Min.)[V]
|
Vin1 (Max.)[V]
|
BR PIN
|
Temperature (Min.)[°C]
|
Temperature (Max.)[°C]
|
Package
|
BD7695FJ
|
AC/DC转换器
|
Standard
|
PFC
|
12V
|
38V
|
BR PIN
|
-40℃
|
105℃
|
SOP-J8
|
选型表 - ROHM 立即选型
ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available
ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.
电子商城
现货市场
服务
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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实验室地址: 深圳 提交需求>
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