基本半导体汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,搭载DTS+TCB等先进技术打造高端数字化智能工厂
12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线,采用先进碳化硅专用封装工艺技术,打造高端数字化智能工厂。
该基地将于2022年3月进行小批量试生产,年中实现量产交付,2022年产能为25万只模块,2025年之前将提升至150万只。这是基本半导体针对即将迎来爆发期的新能源汽车碳化硅市场,提前布局、抢占先机的一项重大举措,将对当前普遍缺货的汽车半导体市场注入一剂有力的强“芯”针。
目前,基本半导体的Pcore™6碳化硅功率模块已通过国内头部车企的选型和测试,成功获得B样小批量验证订单,将在客户的碳化硅电机控制器和整车上进行充分验证,模块制造基地也将接受客户严苛的工厂审核,以确保产品和产线均能满足客户整车量产交付的要求。
先进工艺技术 提升碳化硅模块综合性能
基本半导体汽车级碳化硅功率模块产线配备了全工艺的模块封装专业设备,采用全银烧结、DTS+TCB(Die Top System + Thick Cu Bonding)等最具代表性的先进工艺及封装技术,以提升产品品质和综合性能。
银烧结技术是目前碳化硅模块领域最先进的焊接技术,可充分满足汽车级功率模块对高、低温使用场景的严苛要求。相较于传统锡焊技术,银烧结可实现零空洞,低温烧结高温服役,焊接层厚度减少60~70%,适合高温器件互连,电性能、热性能均优于锡焊料,电导率提高5-6倍,热导率提高3-4倍。
为进一步提升模块电性能及可靠性,该条产线还采用了DTS+TCB技术。即在常温条件下通过超声焊接将粗铜线与AMB基板、及芯片表面的覆铜片进行键合连接,实现彼此间的电气互联。相较铝线键合,模块寿命可提升3倍以上,且电流和导热能力可大幅提升。
首批下线产品:Pcore™6
自动化测试系统 高效、全面、可追溯
为保障模块产品的交付质量,基本半导体定制开发了一套全自动功率模块测试系统。通过自动化机械手臂测试模块产品,全过程无需人工操作,可大幅提高测试效率及精度。测试能力覆盖绝缘、静态、动态、RgQg、翘曲等项目。
该测试系统还具备高电压、大电流、低杂感、高采样率等特点,能满足碳化硅MOSFET产品的双脉冲及短路测试要求;兼具自动保护机制,可有效保护被测产品的安全;所有测试数据可追溯,还可通过动态零件平均测试对产品进行筛选以提高交付产品的质量。
打造高端数字化 汽车级碳化硅模块智能产线
为支持客户的不同封装需求,基本半导体致力于打造一个数字化、智能化的模块工厂。产线采用全柔性化布局方案,机动布置工序,根据不同产能规划设备数量,并运用前沿的AI和工业互联网技术对产线进行数字化赋能,在客户、设备、物料、工艺、维护和监测之间实现互通互联,打造无人化、数字化、网络化的智能制造工厂。
基本半导体汽车级碳化硅模块工厂还采用智能厂务系统,拥有静态千级分区控制的无尘车间、一流的硬件设施、现代化管理系统、全自动监控系统等,以确保产线安全、高效、高质量运行。
碳化硅模块率先上车 助推新能源汽车产业革命
近年来,在各国减排压力推动下全球新能源汽车需求大增,且汽车行业正朝向电动化、智能化转型,使得车用半导体需求不断提升,加之疫情影响导致汽车半导体普遍产能不足,全球汽车市场因此深陷缺“芯”困境。碳化硅功率器件的耐高温、耐高压、高频、高效、高功率密度等特性,既能有效缓解新能源汽车电动化核心部件的缺货压力,还可大幅提升整车性能。
基本半导体未雨绸缪,把汽车级碳化硅功率器件作为重点推进方向之一,并在国内率先布局车用碳化硅模块的研发生产。截至目前,基本半导体搭载自主研发碳化硅器件的测试车辆已相继完成高温、高寒、高湿等极限环境测试,累计无故障运行1000天,里程突破10万公里。
高温、高寒、高湿及长里程测试
2021年11月,基本半导体成功推出了三款汽车级碳化硅功率模块产品:Pcore™6、Pcore™2、Pcell™,相较于传统硅基IGBT模块具有更高功率密度、可靠性、工作结温,及更低杂散电感、热阻等特性,性能达到国际先进水平,可有力支持车企客户实现电机控制器从硅到碳化硅的替代,显著提升整车电能效率,降低制造和使用成本。
随着基本半导体汽车级碳化硅功率模块产线的开通运行和模块产品的客户端批量上车应用,基本半导体将全力助推新能源汽车产业发展,不断为国家“双碳”战略目标的实现进行科技赋能。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 176
本文由犀牛先生转载自基本半导体,原文标题为:国内首条!基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
评论
全部评论(176)
-
每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2023-09-08111
-
小云帆 Lv7. 资深专家 2023-08-12学习了
-
lxmgday Lv7. 资深专家 2023-08-11。
-
用户71904310 Lv9. 科学家 2023-04-15学习
-
Rousson Lv4. 资深工程师 2023-04-06学习
-
蒲公英种子 Lv7. 资深专家 2023-03-31学习了
-
炎宁 Lv7. 资深专家 2023-03-14学习
-
用户71904310 Lv9. 科学家 2023-02-24学习
-
Timm Lv9. 科学家 2023-01-23学习
-
炫123 Lv8. 研究员 2023-01-07学习
相关推荐
瞻芯电子七周年庆:创新驱动,碳化硅(SiC)技术改变未来
2024年7月17日,瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里,瞻芯电子顺利完成了股份改制,转型为股份有限公司,持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉,彰显了其在行业内的卓越地位。同时,瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅(SiC)晶圆厂的运营管理水平得到显著提升,通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证,晶圆产线良率不断提高,流片周期进一步缩短。
基本半导体2023年碳化硅产品不断创新,车规级碳化硅芯片和功率模块产能稳步提升
2023年,基本半导体迎来了众多高能时刻,产品创新应接不暇,产能建设继续加码,量产交付稳健增长,收获了众多合作伙伴的认可与支持。
基本半导体携旗下全系汽车级碳化硅功率模块等产品,亮相第十六届汽车动力系统技术年会
7月4-5日,由中国汽车工程学会主办的第十六届汽车动力系统技术年会(TMC 2024)在青岛盛大举行。基本半导体携旗下全系汽车级碳化硅功率模块等产品亮相本届年会,吸引了众多国内外汽车行业专家学者、汽车制造企业和头部零部件企业的热烈关注。
中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南
描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。
型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
国内新能源汽车未来发展,最核心的技术是什么?
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,工作结温高达175℃
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
凶猛来袭!基本半导体领先碳化硅功率模块技术赋能埃安霸王龙,强悍超长续航引领绿色出行新风尚
2024年7月23日,埃安全球战略车型第二代AION V上市发布会正式启幕,第二代AION V以“纯电霸王龙”的姿态震撼登场,展现在外观、空间、续航、补能、舒适、智能和安全等方面的八大核心产品力。基本半导体以领先的碳化硅功率模块技术,赋能埃安霸王龙凶猛来袭,以强悍的超长续航、超高效能引领绿色出行新风尚!
【元件】基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证,全力推进新能源汽车高效应用
近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6,提高系统输出电流能力10%
汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品。该产品采用标准HPD封装,并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺,以及高密度铜线键合技术。
铜流激荡,智驱新章 | 基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用
铜烧结技术在碳化硅车载功率模块封装领域大有可为,基本半导体将积极推动该技术的产业化进程,充分发挥行业引领作用。未来,基本半导体将继续深化产学研合作,加速推进铜烧结技术的成熟和应用,为碳化硅车载功率模块的发展注入新的动力,助力新能源汽车产业实现更优性能、更高可靠、更低成本,推动行业生态良性发展。
基本半导体发布适配EasyPACK封装的Pcore2 E2B碳化硅功率模块和门极驱动芯片系列新品
7月11-13日,在2023慕尼黑上海电子展上,基本半导体正式发布工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 至此公司产品阵容进一步完善,充分展现了基本半导体的专业技术实力和创新能力,吸引了国内外客户及行业人士的广泛关注。
昕感科技携SiC器件、功率模块以及电源解决方案精彩亮相九峰山化合物半导体产业博览会
2024年4月9日,九峰山化合物半导体产业在武汉光谷科技会展中心如火如荼的举行,昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商,此次携带SiC器件、功率模块以及电源解决方案亮相此次展会。
基本半导体荣获中国电驱动产业SiC模块TOP企业奖,紧跟新能源汽车行业需求提供高质量功率器件
2024年6月19-20日,2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会在上海隆重举办。在同期举办的2024中国优秀电驱动企业&优秀产品颁奖盛典上,基本半导体凭借出色的产品研发和制造实力,荣获“SiC模块TOP企业奖”。
电子商城
服务
加工精度:精密平面磨床正负0.002;铣床正负0.02,ZNC放电正负0.01。CNC加工材料:铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。
最小起订量: 1个 提交需求>
制造铜、铝、铁、不锈钢、合成树脂及各种材质的长短轴类零件,加工五金件尺寸范围:外径:2~100mm ,长度2~100mm ;精度:±0.005um;表面光洁度:可达0.02Ra。拥有50台全进口的五轴设备,通过50项专利认证。
最小起订量: 500 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论