【产品】 650V超级结功率MOSFET TPW65R100MFD，漏源导通电阻最大值为0.1Ω
超结功率场效应管是针对高压功率场效应管的一项革命性技术，根据SJ原理设计。SJ 场效应管是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的高性价比的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。
无锡紫光微电子推出的超级结功率MOSFET TPW65R100MFD采用TO-247封装，漏源电压最大额定值高达650V，在高功率工作环境下仍有出色的发挥，漏源导通电阻最大值为0.1欧姆，连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为47A，在100℃时可以达到28.2A；标准总栅极电荷典型值为75nC，脉冲漏极电流最大额定值为141A。其中漏源体二极管的在400V、23A下的反向恢复时间的典型值为145ns，反向恢复电荷的标准值为0.87μC，峰值反向恢复电流的典型值为12A。
主要特性：
1.超快体二极管
2. 极低FOM RDS(on)×Qg
3. 经过100％雪崩测试
4. 符合RoHS
应用领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 不间断电源（UPS）
3. 功率因数校正（PFC）
图1.TPW65R100MFD场效应管外部封装图和内部电路图
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Nita Lv5. 技术专家 2019-12-07学习 -
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ttsagy Lv6. 高级专家 2019-11-27学习了 -
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用户18396822 Lv8 2019-11-27学习了
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无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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型号- AK3S65N370WMF
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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型号- DHSJ17N65
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型号- JMH65R430AE-13,JMH65R430AE
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型号- APR036N65S
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型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
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