【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V

时间： 2020-11-20 来源：长晶科技

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长晶科技推出的CJAB20N03是采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。MOSFET的结温最大至150°C，存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。该产品的漏源电压最大额定值为30V；栅源电压最大额定值为±20V。连续漏极电流最大额定值为20A，脉冲漏极电流可达100A，耗散功率最大额定值仅为1.5W。具有低导通电阻，在V_GS =10V, I_D =10A条件下的漏源导通电阻典型值仅为8.5mΩ；V_GS =4.5V, I_D =10A条件下的漏源导通电阻典型值仅为12mΩ。此外，CJAB20N03具有低栅极电荷，在V_DS=15V, V_GS=10V, I_D=9A条件下的总栅极电荷典型值仅13 nC。

图1 产品外观和等效电路

优势与特性

电池开关

负载开关

高密度单元设计，具有超低漏源导通电阻R_DS（ON）

雪崩电压和电流特性

良好的稳定性和均匀性，具有高E_AS

封装具有良好的散热性

采用特殊工艺技术，具有较高的ESD保护能力

应用领域

SMPS和其他通用应用

硬开关和高频电路

不间断电源

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-11-20

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2N7000_TO-92	Trench MOS	Single-N	Trench	No	60V	0.2A	5000mΩ	6000mΩ

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