【产品】TMA9N90H~TMV9N90H系列900V N沟道MOSFET，连续漏极电流可达9A

时间： 2020-09-24 来源：无锡紫光微

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TMA9N90H,TMP9N90H和TMV9N90H是无锡紫光微推出的系列900V N沟道MOSFET。该产品是电压控制器件，与双极型晶体管相比，其开关速度更快和开关损耗更小，输入阻抗高，驱动功率低，具有良好的频率特性，特别的是具有负温度系数。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET分别采用了TO-220F、TO-220和TO-3PN封装，符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

图1 器件的的封装和内部电路

器件的工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。系列器件漏源电压最大额定值为900V，栅源电压最大额定值为±30V。系列器件的脉冲漏极电流最大额定值为36A，连续漏极电流最大额定值为9A。系列器件的单脉冲雪崩能量最大额定值为259mJ，雪崩电流最大额定值为7.2A。此外TMA9N90H型的功耗最大额定值为25W，其余2款的功耗最大额定值均为70W。

产品特点：

快速开关特性；

100%雪崩测试；

改进的dv/dt能力；

产品应用：

开关模式电源(SMPS)

不间断电源(UPS)

功率因数校正(PFC)

器件标记和封装信息：

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全部评论（1）

好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-09-24

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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