【产品】漏源电压为500V的N沟道MOSFET SLP16N50C/SLF16N50C，适合高效开关电源
美浦森推出的SLP16N50C/SLF16N50C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maple semi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用领域。
产品绝对最大额定参数（TC=25℃除非另有说明）方面，器件漏源电压高达500V；持续漏极电流高达16.0A@TC=25℃（SLF16N50C漏极电流受限于最高结温）；脉冲漏极电流高达64A（重复额定值：脉宽受限于最高结温，且SLF16N50C漏极电流受限于最高结温）；栅源电压为±30V；工作结温与存储温度范围宽至-55℃~+150℃，引脚最高焊接温度支持300℃（距离外壳1/8"，持续5s）。对于SLP16N50C/SLF16N50C两款器件，结至外壳热阻值分别为0.57℃/W和3.07℃/W，结至环境热阻值均为62.5℃/W。
器件封装和电路图如下所示：
产品特性：
TC=25℃时，漏源电压500V，持续漏极电流16A
典型值RDS(on)=305mΩ@VGS=10V
低栅极电荷（典型值52nC）
高鲁棒性
快速开关特性
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
*漏极电流受限于最高结温
热阻特性
电气参数（TC=25℃，除非另有说明）
Notes：
1. 重复额定值：脉宽受限于最高结温
2. L=3.0mH，IAS=16A，VDD=50V，RG=25Ω，TJ=25℃开始
3. ISD≤16A，di/dt≤100A/μs，VDD≤BVDSS，TJ=25℃开始
4. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
5. 基本上独立于工作温度
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由飞猫警长翻译自美浦森，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S，漏源电压650V
美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC
美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
100V/15A的N沟道MOSFET SL9968，开关损耗低、开关速度快，适用于工业自动化开关
SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（80mΩ@10V,4A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展
2020年8月16至18日，美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。
【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C，器件漏源电压高达500V
美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
60V/340mA的N沟道MOSFET 2N7002KDW，具有低导通电阻和较低的阈值电压
2N7002KDW是一款具有60V漏源电压和340mA连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（5Ω@10V）和较低的阈值电压（2.5V@1mA）而著称。这些特性使得2N7002KDW成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7
美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7，采用先进的沟槽技术，这种先进技术适合于最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
美浦森将携N沟道MOSFET和碳化硅MOS亮相2021亚太国际电源展，相关性能达行业领先水平
2021年第十一届亚太国际电源产品及技术展会即将在11月18-20日开展，美浦森与您相约2021亚太国际电源展。美浦森半导体MOSFET和碳化硅系列产品，在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居等领域得到广泛应用。
【产品】美浦森600V/12A的N沟道MOSFET SLP12N60C/SLF12N60C，采用平面条纹DMOS技术
美浦森推出的SLP12N60C/SLF12N60C是两款漏源电压高达600V的N沟道MOSFET。采用先进的平面条纹DMOS技术，特别为最小化导通电阻提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论