【产品】漏源电压650V的SiC功率MOSFET WM1A060065K，通态源漏电阻60mΩ

时间： 2022-10-30 来源：中电国基南方

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中电国基南方推出SiC功率MOSFET WM1A060065K，采用一代MOSFET技术，属于N沟道增强型器件，具有低导通电阻、快开关速度，易于并联等特点，可应用于开关电源，DC-DC以及电机驱动等。

额定参数（除特别声明外T_C=25℃）

电参数（除特别声明外T_C=25℃）

体二极管参数（除特别声明外TC=25℃）

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2022-03-05 - 产品代理服务技术支持采购服务

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2020-06-20 - 新产品代理服务技术支持采购服务

WM2A040120L N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A040120L型号SiC功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频驱动等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

型号- WM2A040120L

2022/6/17 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.0 代理服务技术支持采购服务

HC3M001K170J SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 本资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M001K170J型碳化硅功率MOSFET器件。该器件具有高阻断电压、低导通电阻和高速度开关等特点，适用于太阳能逆变器、开关电源、辅助电源和智能电表等领域。

型号- HC3M001K170J

2024/6/24 - 华轩阳电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本资料介绍了型号为WM2A060065K的N-通道碳化硅（SiC）功率MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性和封装尺寸。该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻和高速度开关等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器和不间断电源等领域。

型号- WM2A060065K

2021/12/29 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.1 代理服务技术支持采购服务

WM2A020065N N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A020065N型号氮化镓（SiC）功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源和直流/直流转换器等领域。

型号- WM2A020065N

2022/8/22 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.0 代理服务技术支持采购服务

HC3M0032120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0032120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

型号- HC3M0032120D

2023/12/18 - 华轩阳电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

WM2A040120K N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A040120K型号SiC功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频驱动等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

型号- WM2A040120K

2022/6/17 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.0 代理服务技术支持采购服务

WM2A020065L N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A020065L型号N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高容抗等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。

型号- WM2A020065L

2022/9/9 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.0 代理服务技术支持采购服务

HC3M0016120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0016120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

型号- HC3M0016120D

2023/12/18 - 华轩阳电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

WM1A045170K N沟道SiC功率MOSFET

描述- 该资料介绍了中电国基南方集团有限公司生产的WM1A045170K型号N-通道碳化硅功率MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点，适用于太阳能逆变器、高压直流/直流转换器、电机驱动、开关模式电源和脉冲功率应用等领域。

型号- WM1A045170K

2021/6/3 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.0 代理服务技术支持采购服务

WM1A080120L1 N沟道SiC功率MOSFET

描述- 该资料介绍了中电国基南方集团有限公司生产的WM1A080120L1型号氮化镓（SiC）功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和易于并联驱动等特点，适用于电源供应、高压直流/直流转换器、电机驱动器和脉冲功率应用等领域。

型号- WM1A080120L1

2021/6/3 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.1 代理服务技术支持采购服务

WM2A040170L N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术

描述- 该资料详细介绍了CETC公司生产的WM2A040170L型号N-Channel SiC Power MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件采用G2 MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器和脉冲功率应用等。

型号- WM2A040170L

2024/5/15 - 中电国基南方 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务