Alliance全新4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs、5V并行NOR闪存在“嵌入式世界2020”大会上展示

2020-03-16 ​Alliance
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ALLIANCE Memory在2月25日~27日于德国纽伦堡举行的“嵌入式世界2020”大会上展示用于传统和新设计的SRAMs、DRAMs和闪存芯片。Alliance Memory总裁兼首席执行官David Bagby表示:“虽然我们对COVID-19的处境感到担忧,但我们的业务仍然很活跃,我们期待着与纽伦堡嵌入式世界的全球客户建立联系。我们很庆幸Alliance Memory在生产和供应链上没有看到任何重大影响,而我们的生产和供应链主要位于台湾。”

 

针对工业、汽车、医疗、通信、电信和消费电子领域的传统和新设计,Alliance Memory通过为产品寿命结束(EOL)组件提供长期支持,并通过最小化或消除制程微缩来为公司客户释放工程资源,从而脱颖而出。在嵌入式世界3号馆318展位,Alliance Memory重点展示了其用于嵌入式平台的SRAM、pseudo SRAM、NOR Flash、DRAM内存芯片等,包括如下产品:

 

全新4Gb高速CMOS DDR4 SDRAMs

Alliance Memory扩大了其产品范围,推出了新的高速CMOS DDR4 SDRAMs。为了改进前一代DDR3设备的性能,4Gb AS4C256M16D4AS4C512M8D4分别在96球和78球FBGA包中提供更低的功耗和更快的数据传输速率。

 

全新5V并行NOR闪存解决方案

Alliance Memory新推出的5V并行NOR闪存产品线,以引导和统一分区结构,为嵌入式系统提供可靠、长期的性能。这些设备的密度在100万到1600万之间,除了处理密集型的网络路由器和交换机、家庭网关、机顶盒(STB)、汽车信息娱乐系统、工业机器人和医疗电子设备外,还为数码相机等高性能应用提供55ns的访问时间。

 

Micron(镁光) 8G MT41K512M16HA-125 IT: Alliance Memory提供8G DDR3L
Micron(镁光)MT41K512M16HA-125 IT:8G DDR3L SDRAM的用户(最近一次购买日期为2019年1月13日)现在可以从Alliance Memory购买相同的设备,零件编号为AS4C512M16D3L-12BIN。 这是Alliance Memory提供相同替代品的三个Micron(镁光) DDR3L SDRAM之一。 此外,Alliance Memory还以其原始部件号提供了几种Micron(镁光) Technolo
gies DDR3L SDRAM。

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2020-07-26 -  行业资讯 代理服务 技术支持 采购服务

ALLIANCE 存储器选型表

提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型,VCC(V):0.6-5,MSL LEVEL:0-5,CLOCK(MHz):133-1866,可支持商业级/工业级/汽车级。

产品型号
品类
Product Family
DENSITY
ORGANISATION
VCC(V)
TEMPERATURE RANGE(°C)
PACKAGE
MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN
存储器
FAST-Asynch
64K Fast
8K x 8
5V
Commercial (0 ~ 70°C)
28pin SOJ(300mil)
3

选型表  -  ALLIANCE 立即选型

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ALLIANCE  -  SERIAL NOR FLASH,DDR3L 1.35V SDRAM,同步DRAM,DDR1 2.5V DRAM,LPDDR4X,串行NOR闪存,LPDDR4,FAST ASYNCHRONOUS SRAM,DDR3L SDRAM,并行5V NOR闪存,PARALLEL 5V NOR FLASH,SLC PARALLEL NAND FLASH,低功耗SRAM,快速异步SRAM,SYNCHRONOUS DRAM,PSRAM PSEUDO SRAM,MOBILE LOW POWER SDRAM,DDR3 1.5V SDRAM,串行SLC NAND闪存,移动低功耗SDRAM,SLC并行NAND闪存,DDR4 SDRAM,PSRAM伪SRAM,EMMC,移动式低功耗DDR1,SERIAL SLC NAND FLASH,DDR3 SDRAM,LOW POWER SRAMS,移动式低功耗DDR2,DDR2 1.8V DRAM,MOBILE LOW POWER DDR1,MOBILE LOW POWER DDR2,AS4C8M16SA-7TXN,AS6C2008A,AS6C62256-55SXN,ASFC64G31T5-51BIN,AS4C8M32MD2A-25BPCN,AS4C64M32MD2A-25BIN,AS5F18G04SND-10LIN,AS1C512K16P-70BIN,AS4C8M32MSB-6BIN,AS7C38096B-10BIN,ASFC32G31T3-51BIN,AS29CF160B-55TIN,AS4C16M16SA-6TXN,AS7C31025C-12JIN,AS7C31024B-XXTCN,M29F160FT55N3E2,AS4C64M16MD2A-25BIN,AS4C32M16MSB-6BIN,M29F800FT55N3E2,AS25F1128MQ-70WIN,AS7C1024B-XXJCN,AS5F34G04SNDB-08LIN,AS29CF800T-55TIN,AS4C8M16SA-6BXN,AS4C4M16SA-6TXN,AS9F38G08SA-25BIN,N25Q064A13ESFA0F,AS25F364MQ-10WIN,AS9F31G08SA-25BIN,AS4C32M8D1-5TXN,AS4C64M4SA-6 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TXN,AS4C16M32MSA-6BIN,AS6C1608B-45TIN,AS4C512M16D4-75BXN,AS6C4016B,AS6C8008-55BIN,AS6C6416,AS7C1025B-XXJIN,AS4C2M32SA-7TXN,AS4C8M32SA-6BXN,AS7C1024B-XXTCN,AS7C4096A-XXJXN,AS4C32M16D1-5TXN,AS7C316098A-10TIN,AS4C16M32MSB-6BIN,AS6C1616C-45TIN,AS5F32G04MND-08LIN,AS6C2008-55SIN,AS7C316096A,AS7C316096B,AS6C1608B,AS7C1024B-XXTJCN,AS6C6264-55SIN,AS4C8M32S-7 TXN,AS7C4096A,AS6C6264-55PCN,AS4C32M16D2A-25BXN,AS4C256M32MD4V-062BAN,AS4C256M16D4A-75BXN,AS7C316096C,N25Q032A13EF640F,AS1C2M16P-70BIN,AS4C64M8D3L-12BXN,N25Q064A11ESEA0F,AS7C3256A-XXJCN,AS7

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2024-05-09 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

Alliance Memory 8Gb LPDDR4X SDRAM Offers 50% Reduction in Power Consumption Compared to LPDDR4 Devices

July 14, 2021 — Alliance Memory announced that it has expanded its offering of high-speed CMOS mobile low-power SDRAMs with a new LPDDR4X device featuring on-chip ECC. Offering an extension to the company’s fourth-generation LPDDR4 SDRAMs, the 8Gb AS4C256M32MD4V-062BAN offers ~50% lower power ratings in the 200-ball FBGA package for higher power efficiency.

2021-08-23 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

AS4C256M8D3LB-12BIN、AS4C256M8D3LB-12BCN 256M x 8位DDR3L同步DRAM(SDRAM)

本资料为AS4C256M8D3LB-12BIN/12BCN型号的2G DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。该产品符合JEDEC标准,具有低电压供电、高速度操作等特点,适用于商业和工业温度范围。它支持高速双数据率传输速率高达1600 Mb/sec/pin,并具备多种功能特性,如预充电、自刷新、功率下降模式等。

ALLIANCE  -  双数据速率-3 DRAM,DOUBLE-DATA-RATE-3 DRAMS,256M X 8 BIT DDR3L SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM),256M X 8位DDR3L同步DRAM(SDRAM),DRAM,DRAMS,AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB,AS4C256M8D3LB-12BCN

May. 2018  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务
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