【产品】N道MOS场效应管AO3400漏源导通电阻低至22.8mΩ，工作温度-55~150 ℃
蓝箭电子推出的N道MOS场效应管AO3400，采用SOT-23塑封封装。其VDS值为30V，ID电流值为5.8A，TJ和TSTG温度范围为-55~150 ℃。该产品在VGS为10V的条件下，RDS(ON)小于28mΩ 。该产品适用于作负载开关或脉宽调制应用。
图 1
特征
●VDS (V) = 30V
●ID= 5.8 A VDS= 10V)
●RDS(ON)< 28mΩ (VDS= 10V)
●RDS(ON)< 33mΩ (VDS= 4.5V)
●RDS(ON)< 52mΩ (VDS= 2.5V)
用途
适用于作负载开关或脉宽调制应用
极限参数
表 1
电性能参数
表 2
外形尺寸图
图 2
包装规格
表 3
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