【产品】即思创意650V/2~10A的SiC MPS/JBS肖特基整流器,具备超低的QC特性
即思创意(FSS)是台湾一家专业的碳化硅功率器件供应商,推出的最大反向电压为650V的SiC MPS/JBS肖特基整流器,具备超低的QC特性,与主要竞品相比,在传导损耗特性相当的情况下降低了开关损耗(特指二极管结电容充/放电时),这一点特别有助于提升产品的轻载、高频运行效率,以满足能源之星8.0(Energy Star 8.0),欧洲COC Tier 2认证以及80PLUS Titanium标准等规定的新能源标准需低于10%的负载效率要求。
上市日期:
目前能够提供样品
电气特性:
包装类型
DPAK 湿气敏感性等级 (MSL) level-1
产品等级
车载、工业及消费级
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Jerrfy Lv9. 科学家 2021-07-23国产的需要提升可靠性
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用户52983065 Lv7. 资深专家 2021-07-20学习
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一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2021-07-19赞
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小李飞刀 Lv8. 研究员 2021-07-16学习
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zwjiang Lv9. 科学家 2021-07-16学习学习
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即思创意(fastSiC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管选型指南
目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q
即思创意碳化硅肖特基二极管及MOSFET选型表
即思创意提供以下参数的技术选型,DC Blocking Voltage(V):650,Total Capacitive Charge(nC):10~45,Capacitance Stored Energy(μJ):1.6~6.5,Continuous Drain Current(A):2.5~60
产品型号
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品类
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Power Dissipation(W)
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Continuous Drain Current(A)
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Gate Charge(nC)
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Output Capacitive Charge(nC)
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Avalanche Energy(mJ)
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FL12190A
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碳化硅肖特基二极管
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88
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10
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30
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41
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200
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选型表 - 即思创意 立即选型
FC06010碳化硅合并pn肖特基二极管产品规格书
描述- 本资料为Silicon Labs公司生产的SiC Merged PN-Schottky二极管的规格说明书。该产品属于650V SiC MPS高速整流器,具有低正向电压、零反向恢复、超低开关损耗等特点,适用于高频应用和高效率系统。
型号- FC06010D,FC06010,FC06010C
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型号- FC06002X,FC06008D,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FC06008A,FH06010C,FC06016C,FC06006D,FC06006C,FH06004C
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型号- FC06008,FC06008B,FC06008A
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FC06008碳化硅合并PN-肖特基二极管产品规格书
描述- 本资料为Silicon Carbide Merged PN-Schottky二极管(型号FC06008)的产品数据手册。该产品属于SiC MOSFET高压整流器,适用于高速应用。资料详细介绍了产品的特性、优点、潜在应用领域以及关键性能参数。
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