除了干掉双管反激电源，SiCMOSFET还能为辅助电源带来啥
在光伏逆变器、UPS、四象限变频器等常见的电力电子设备中，它们的控制单元、显示屏、散热风扇以及继电器都需要低压直流供电，因此我们需要设计辅助电源产生合适的直流电压进行供电。
辅助电源的输入通常取自母线电压，而光伏逆变器、UPS和四象限变频器的母线电压通常在600V~800V，最高可达到1000VDC。由于目前的MOSFET最高耐压只能做到1500V，且1500V耐压的MOS管导通电阻比较高，从而产生比较大的导通损耗。因此传统的辅助电源拓扑通常是双管反激电源，功率部分使用两个800V耐压的Si MOSFET作为开关管，如图1所示：
图1：双管反激电源拓扑
虽然双管反激电源降低了对MOSFET耐压的要求，但同时增加了功率管的数量和控制的复杂程度，使整个电源的损耗增大、效率降低。对此，CREE最新推出了最高耐压1700V、封装为TO-247的SiC MOSFET，应用在反激开关电源中只需单路开关控制，由于SiC MOSFET具有较低的导通电阻和极小的栅极电荷，可以有效降低导通损耗和开关损耗，从而提高效率，实现开关电源控制更为简单、高效。图2是使用SiC MOSFET作为开关管的反激电源拓扑电路。
图2：1700V SiC MOSFET反激电源拓扑电路
从以上两种电源拓扑电路可以看到，使用1700V SiC MOSFET的反激电源相比使用双管反激电源方案的电路使用器件更少、控制更为简单、损耗更低、可靠性也更高。图3是CREE SiC MOSFET C2M1000170D与Si MOSFET的参数对比，从图中可以明显看出SiC MOSFET的性能优势。
图3：SiC MOSFET与Si MOSFET的参数对比
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