【产品】1700V N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT3，可用于电动汽车充电和DC-AC逆变器等
ASC100N1700MT3 是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰能力降低，以及减少系统体积大小。
其采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1700V，连续漏极电流为100A，可用于电动汽车充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块、电机驱动。
产品外观和原理图
特点：
低电容高速开关
高耐压，低导通电阻RDS(on)
标准栅极驱动，驱动简单
100%雪崩测试
最高结温150°C
符合ROHS标准
应用：
电动汽车充电
DC-AC逆变器
高压DC/DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动
极限参数 (Tc=25℃)：
主要电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)：
热特性：
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
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