【应用】国产低成本P/N双MOSFET CJ3439KDW用于北斗通信模块射频电路,实现更简洁的功放电路设计
在北斗通信模块的射频电路中,功放的供电一般有正电和负电,为了控制电源通断,会在电源输入端增加MOSFET。长晶科技的P/N双MOSFET CJ3439KDW应用于功放供电的开关,可以让功放电路更简洁。
CJ3439KDW应用于功放电路中的电路示意图及CJ3439KDW的内部示意图如下图所示。
CJ3439KDW内部集成了一个20V/0.75A的NMOS和一个-20V/-0.66A的PMOS,采用SOT363封装,尺寸约2.3x2.1mm,减少了布板面积和元器件数量,让电路更简洁。
从性能上来说,20V/0.75A和-20V/-0.66A能够满足常用功放的5V/300mA的需求,其NMOS内阻指标只有380mΩ,如下图,若300m电流,发热量约0.03mW,不用担心发热严重影响其可靠性。
长晶科技是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商,其前身为长电科技(全球知名的集成电路封装测试企业)分立器件部门,其在产品质量、成本控制、产能方面均有优势,CJ3439KDW是常用物料,研发设计时可以放心选用。
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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ID(A)
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Single-N
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Trench
|
No
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60V
|
0.2A
|
5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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型号- CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ6320,CESD12VD3,CJA6376,DTESD5V0LED02,ESD3V3Y1,CESD12VD7,CJ6205,CJ6206,ESDBU18VA1,LM317,CJK02 SERIES,CJ78MXX,CJP10N65,CJZ255PL,SBD4060TCTB,CJAC70SN15,CJ9221T5,ESDBW5V0A1,S2MF,HC-49S,CJ6330,CJ6331,ESDBU2V5AE1,CJ6211,CJU75SN10L,CJ8345NM,CESD24VD5,1117,CESD24VD3,CJ808CXXM,SCJT1117B-XX,ESDBW5V0D3,ESDBL36VD3,RJBF310,CJ6107系列,SBD20H200CTB,MURW2060CTB,CJ6221,CJ6101,CJ88XX,CJ11 SERIES,CJ6107,CJ6109,CJ78LXX,ESDBKV5V0D3,CJ08 SERIES,CJB120SN10,CJ6300系列,CJ5123SG3J,CJ15 SERIES,SK310BF,CJU02N65,S1ML,CJMP3009G,CJPF12N65,ESDD7V0D3,SBD20150TCTB,CJS2019,CJ6330B33M,ESDM15VD3,CJ8810,ESDH10VP1,LMV321,ESDVD5V0H4,CJU40SN06,ESDL24VAE1,CJ5123H5G,SBD4045TCTB,ESDTU5V0A1,CJS2013,CJS2016,SS14,LM358,CJ12209SP,ESDU5V0N2,CJO03 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产品型号
|
品类
|
PD(mW)
|
VZTyp(V)
|
VZMin(V)
|
VZMax(V)
|
IZT(mA)
|
IR(uA)
|
IR@VR(V)
|
Package
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AD-MMSZ5259CS
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稳压二极管
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200mW
|
39V
|
38.22V
|
39.78V
|
3.2mA
|
0.1uA
|
30V
|
SOD-323
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选型表 - 长晶科技 立即选型
长晶科技(JSCJ)公司介绍2020版
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