【产品】表面安装硅N沟道增强型MOSFET，连续漏极电流1.0A的
CMLDM7120G是CENTRAL半导体公司推出的一款表面安装硅N沟道增强型MOSFET。该MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造，具有低导通电阻和低阈值电压等特点，其ESD保护高达2kV，可用于负载/电源开关，电源转换器电路，电池供电的便携式设备领域。
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的工作和存储结温为-65℃~+150℃，能够适应高温的工作环境。其采用SOT-563封装，功耗最大为350mW,可提高能源效率。该器件的开通时间ton为25ns，关断时间toff为140ns，开关速度较快。
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET拥有0.5V~1.2V的低阈值电压，连续漏极电流ID高达1.0A。VGS=1.5V、ID=0.1A时，CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的导通电阻最大为0.25Ω，器件具有较低的导通损耗。其栅极电荷Qgs为0.25nC，开关性能较好。
图1 CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET实物图
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的产品特性：
• ESD保护高达2kV
• 低导通电阻rDS（ON）（最大值为0.25Ω@VGS=1.5V）
• 高电流（ID=1.0A）
• 阈值电压最大值为1.2V
• 开关速度快（ton为25ns，toff为140ns）
• 采用SOT-563封装
• 与逻辑电平兼容
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的应用领域：
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
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