【产品】表面安装硅N沟道增强型MOSFET，连续漏极电流1.0A的
CMLDM7120G是CENTRAL半导体公司推出的一款表面安装硅N沟道增强型MOSFET。该MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造，具有低导通电阻和低阈值电压等特点，其ESD保护高达2kV，可用于负载/电源开关，电源转换器电路，电池供电的便携式设备领域。
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的工作和存储结温为-65℃~+150℃，能够适应高温的工作环境。其采用SOT-563封装，功耗最大为350mW,可提高能源效率。该器件的开通时间ton为25ns，关断时间toff为140ns，开关速度较快。
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET拥有0.5V~1.2V的低阈值电压，连续漏极电流ID高达1.0A。VGS=1.5V、ID=0.1A时，CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的导通电阻最大为0.25Ω，器件具有较低的导通损耗。其栅极电荷Qgs为0.25nC，开关性能较好。
图1 CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET实物图
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的产品特性：
• ESD保护高达2kV
• 低导通电阻rDS（ON）（最大值为0.25Ω@VGS=1.5V）
• 高电流（ID=1.0A）
• 阈值电压最大值为1.2V
• 开关速度快（ton为25ns，toff为140ns）
• 采用SOT-563封装
• 与逻辑电平兼容
CMLDM7120G N沟道增强型MOSFET的应用领域：
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由零点翻译自世强，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
【产品】75V采用薄型SMD封装的功率MOSFET，漏源导通电阻最低为4.5mΩ，可提高电源效率
P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN是新电元推出的四款功率MOSFET，允许大电流，结构紧凑，采用薄型SMD封装，均符合ROHS无铅标准，是环境友好型器件，四款产品漏源导通电阻最低为4.5mΩ，有助于降低MOSFET通过大电流时的自身发热，同时提高电源效率。主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。
【产品】P153FP6SNK、P211FZ4QMKA紧凑型功率MOSFET，适用于负载/电源开关、电源转换器电路等
P153FP6SNK、P211FZ4QMKA是新电元推出的两款功率MOSFET，允许大电流，薄型SMD封装，均符合ROHS无铅标准，静态漏源导通电阻典型值分别为2.4mΩ、1.1mΩ，导通损耗很低，有助于降低MOSFET通过大电流时的自身发热，同时提高电源效率。主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的选型经验分享
本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用，分享了一些自己在选型上积累的经验。
【产品】TO-252封装的无铅N沟道增强型MOSFET AP7N10K，漏源电压最大值为100V
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET——AP7N10K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
【产品】漏源电压60V的N沟道增强型MOSFET APG022N06G，连续漏极电流达150A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6封装的N沟道增强型MOSFET APG022N06G，采用分离栅极沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
【产品】铨力半导体推出采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP6802，规格为4A/30V
铨力半导体推出一款N沟道增强型MOSFET——AP6802，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为4A @Ta=25℃。采用先进的沟槽技术，无铅产品，可应用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
【产品】采用PDFN3X3封装的N沟道增强型MOSFET AP30H150Q，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H150Q，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的设计经验分享
本文分享笔者采用CWDM3011P和CWDM3011N两款MOSFET管关于三相全桥的分立器件的设计经验。
【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP30H80G，采用先进沟槽技术，栅极电荷低
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H80G，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
【产品】阈值电压最大为1.0V的增强型双N沟道MOSFET
CMRDM3590是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型双N沟道MOSFET。CMRDM3590增强型MOSFET提供了低rDS（ON）和低阈值电压，其采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP2035Q，采用了先进的沟槽技术，属于无铅产品
铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP2035Q，采用了先进的沟槽技术，属于无铅产品，具有出色的RDS (ON)和低栅极电荷，Ta=25℃，绝对最大额定值方面，漏源电压为20V。可用于PWM应用，负载开关以及电源管理。
电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥0.7919
现货： 16,000
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥2.0787
现货： 283
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥1.7323
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥1.9798
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥2.6727
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥1.7323
现货： 200
现货市场
服务
提供7~27寸工控机定制，支持嵌⼊式/ 壁挂式 /桌⾯式/悬挂式等安装方式，采用纯平⾯板IP65防尘防⽔等级，莫⽒7级硬度触摸屏，兼容多种操作系统：组态软件/安卓/XP/win7/8/10/Linux等，支持主板、接⼝、外观、⽀架、刷卡器、⾝份证阅读器、LOGO、⻨克⻛、系统、电池、蓝⽛、4G/5G、摄像头、GPS系统、⼆维码扫描器、指纹等特殊应⽤场景定制
最小起订量： 1台 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论