【经验】肖特基二极管为什么没有反向恢复时间？
反向恢复时间的定义是从一种正向电压位置切换到反向电压所需要的一段时间，因为该半导体材料中有少数载流子，需要从堆积状态减少到耗尽状态，反向恢复时间自然就存在了。而肖特基二极管原理上没有少数载流子，理论上反向恢复时间应该为零，但究竟存在极间电容，仍会有反向恢复时间存在，即使该时间远小于PN结二极管的反向恢复时间。
由于SBD是一种多数载流子导电器件，它没有少数载流子寿命和反向恢复问题，反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，而不是PN结二极管的反向恢复时间。反向恢复电荷很少，因此开关速度快、开关损耗也特别小，特别适合于高频应用。
嘉兴南电技术团队在二极管领域拥有十余年的技术沉淀，能有效解决客户对电子产品电源应用的难点，累计服务超过10000加客户；公司意在为客户“减低成本、提升质量、增加产品核心竞争力”而努力。与广大客户一起成长，铸造“中国梦、中国芯”。
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蓝箭电子 二极管/MOSFET/三极管/充电管理IC/LDO/三端稳压器/锂电保护IC选型表
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龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南
描述- 福建龙夏电子科技有限公司是一家功率器件设计公司，公司成立于 2017 年 3 月。产品包含中低压 MOSFET 和 SBD 的晶圆和成品，核心竞争力是 BMS 大电流 SGT MOS 和光伏组件接线盒大电流 LOW VF 沟槽 SBD（TMBS）。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压 VDMOS、IGBT 和 SICMO、SIC JBS 二极管。
型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D14N45I,D10N45IG,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,M26N100S,LR049N08SA4,LR049N08SA3,LR016N08S10,M28N90S,LR053N95S3,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,M21N95SA,LR022N10S10,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D23N45IU,D16E45SE,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08SA10,LR038N08S2,LD25N45SHD9,LR035N08S3,LR032N08S1,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D23N45IM,D13E45SD,M21N80SA,LR051N95S2,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,M36N80S,LR032N10S10,LR065N08S3,LD25N45SJS2,M10N80S,LR052N95S8,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,LM120N08S1,D13N45I,LD10N100T2,LD10N100T3
肖特基二极管的参数及选择原则
肖特基二极管低正向压降、快速开关速度和低功耗特性，在高频电源管理、整流电路、DC-DC转换器以及RF应用中广泛使用。然而，不同应用场景对其参数有不同的要求，因此在选型时，需要综合考虑各项关键参数。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-17
肖特基二极管与TVS二极管的不同点有哪些？
肖特基二极管和TVS二极管都是电子工程中常见的半导体器件，虽然它们在形态上可能相似，但它们的功能、工作原理和应用场景却有显著的不同。本文中辰达行就来为大家介绍肖特基二极管与TVS二极管的不同点。
技术探讨 发布时间 : 2024-06-27
【技术】解析肖特基二极管沟槽工艺与平面工艺的区别
MDD品牌平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压，这些独特的性质使得其在太阳能电池、开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大的应用潜力。那么肖特基二极管沟槽工艺与平面工艺有什么区别呢？本文辰达行将为您进行介绍。
技术探讨 发布时间 : 2023-06-09
肖特基二极管检测的主要事项
肖特基二极管是一种广泛应用于电源管理、电路保护、高频开关以及整流等领域的半导体器件。其低正向压降和快速切换特性使其在功率效率要求较高的应用场景中得到青睐。然而，在实际使用过程中，检测肖特基二极管的性能是否符合设计要求非常关键。
设计经验 发布时间 : 2024-10-12
介绍肖特基二极管选型需要考虑的参数
肖特基二极管因其低正向压降和快速开关特性，在电源管理、射频电路和高速数字电路中广泛应用。肖特基二极管选型需要考虑的参数有哪些？本文中辰达行来为大家介绍，希望对各位工程师朋友有所帮助。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-13
【产品】低功耗超高速肖特基二极管1N5819，多数载流子导电器件更适用于高频应用
硕凯电子推出的1N5819肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD）， 它属一种低功耗、超高速半导体器件。1N5819肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。
产品 发布时间 : 2021-08-31
肖特基二极管的优化有哪些？
肖特基二极管低正向压降、快速反应速度和低功耗等优点，广泛应用于开关电源、整流器和电源管理电路等领域。然而，随着电子产品的需求日益多样化，如何优化肖特基二极管的性能，成为电路设计中一个关键的课题。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-25
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