【产品】TO-247封装的600V超结功率MOSFET TPW60R090MFD，导通电阻最大仅0.09Ω

时间： 2019-10-11 来源：无锡紫光微电子

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无锡紫光微电子推出的TPW60R090MFD是一款漏源电压为600V的超结功率MOSFET。TPW60R090MFD采用TO-247封装，尺寸较小，减少了在pcb板上占用的面积。该产品具有超快速体二极管和极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

图1 TPW60R090MFD的产品图及符号图

电气特性方面，TPW60R090MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，符合工业级温度要求。连续漏极电流为47A，脉冲漏极电流为141A。耗散功率为391W，适用于较高功率的应用。导通电阻低，最大仅0.09Ω。总栅极电荷为78nC。体二极管的反向恢复时间为145ns，产品响应较快。

TPW60R090MFD的特点：

具有超快速体二极管

极低品质因数
通过了100％雪崩测试
符合RoHS标准

TPW60R090MFD的应用：

开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

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用户18396822 Lv8 2019-10-12

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TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

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