【产品】采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型MOSFET CX3090，符合无铅认证标准，具有优异的漏源导通电阻
诚芯微推出的型号为CX3090的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域，其封装和引脚如下图所示：
器件特征
RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<3.3mΩ@VGS=10V
器件具有高功率和高电流处理能力
器件符合无铅认证标准
器件为表面贴装器件
器件应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有标注）
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诚芯微中低压MOS选型表
内阻3.3mΩ-46mΩ，490PF-2400PF结电容，-30V-90V耐压，N、P单、双及混双通道，电流-30A-110A
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产品型号
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品类
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封 装
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耐 压
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电 流
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应用通道
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内 阻
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输入结电容
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应 用
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CX4435
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中低压MOS
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SOP-8
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-30V
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-10A
|
P
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16mΩ
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1500PF
|
PWM 、 负载开关、电源管理
|
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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