【产品】采用SC89-3封装的N沟道增强型MOSFET AM4452，耗散功率0.3W
AIT推出的AM4452是一款N沟道增强型MOSFET。AM4452在环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±8V、连续漏极电流0.83A、脉冲漏极电流1.8A、耗散功率0.3W。工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
AM4452采用SC89-3封装，引脚分布图如下图：
产品描述：
VDS=20V
VGS=±8V
ID(A)=0.83A
当VGS=4.5V时， RDS(ON)=200mΩ(典型值)
当VGS=2.5V 时，RDS(ON)=245mΩ(典型值)
当VGS=1.8V时， RDS(ON)=310mΩ(典型值)
当VGS=1.5V时， RDS(ON)=380mΩ(典型值)
当VGS=1.2V时， RDS(ON)=680mΩ(典型值)
AM4452可用 SC89-3 封装。
产品特性：
高速开关，低导通电阻
1.2V低栅极驱动
ESD保护
SC89-3封装
应用：
手持设备
开关应用
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