【产品】TPA65R180CFD型650V超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，符合RoHS标准

时间： 2020-10-21 来源：无锡紫光微

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超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的一种用于高压功率MOSFET的革命性技术。多EPI SJ MOSFET提供了极低的开关、通信和传导损耗器件，具有最高的稳健性，尤其是谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更冷，由无锡Unigoup微电子公司设计。无锡紫光微推出的TPA65R180CFD型650V超结功率MOSFET，通过100%雪崩测试，具有易使用与驱动特性。MOSFET采用TO-220F封装，符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

图1 器件的的封装和内部电路

重要参数方面：器件的漏源电压V_DS@T_j，max可达650V; 漏-源导通电阻最大值为0.18欧姆; 总栅极电荷的典型值为42nC；连续漏极电流最大额定值为20A（T_C=25℃条件下）；脉冲漏极电流最大额定值为60A。

此外，器件栅源电压最大额定值为±30V。器件的单脉冲雪崩能量最大额定值为500mJ，雪崩电流最大额定值为10A。此外器件的功耗最大额定值为34W。器件的工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。

产品特点：

超低的漏-源导通电阻(最大值为0.18欧姆）x 总栅极电荷（典型值为42nC）；

100%雪崩测试；

易使用/驱动

符合RoHS标准；

产品应用：

开关模式电源(SMPS)

不间断电源(UPS)

功率因数校正(PFC)

器件标记和封装信息：

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