【产品】符合ROHS标准的N沟道SiC MOSFET,隔离电压达2500V,具有雪崩耐受性
ASC100N1200MDS是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性,其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括效率更高,工作频率更快,功率密度增加,电磁干扰降低,以及系统尺寸减小。该器件采用SOT227封装,在Tc=25℃的条件下,漏源电压为1200V,连续漏极电流为115A,耗散功率为428W。
产品外观和内部电路图
特点:
●低电容高速开关
●高阻断电压,低导通电阻RDS(on)
●快速可靠的体二极管
●易于并联和驱动简单
●卓越的雪崩耐受性
●符合ROHS标准,无卤素
●隔离电压达2500V
应用:
●光伏逆变器、转换器和工业电机驱动器
●智能电网输配电
●感应加热和焊接
●供配电
●混合动力汽车/电动汽车动力总成和电动汽车充电器
绝对最大额定参数(Tc=25℃):
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明):
典型性能—静态
热特性
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