【产品】符合ROHS标准的N沟道SiC MOSFET，隔离电压达2500V，具有雪崩耐受性
ASC100N1200MDS是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括效率更高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰降低，以及系统尺寸减小。该器件采用SOT227封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，连续漏极电流为115A，耗散功率为428W。
产品外观和内部电路图
特点：
●低电容高速开关
●高阻断电压，低导通电阻RDS(on)
●快速可靠的体二极管
●易于并联和驱动简单
●卓越的雪崩耐受性
●符合ROHS标准，无卤素
●隔离电压达2500V
应用：
●光伏逆变器、转换器和工业电机驱动器
●智能电网输配电
●感应加热和焊接
●供配电
●混合动力汽车/电动汽车动力总成和电动汽车充电器
绝对最大额定参数(Tc=25℃)：
电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)：
典型性能—静态
热特性
订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自爱仕特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准
ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源
爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
【产品】650V N沟道碳化硅MOSFET ASR70N650D56，连续漏极电流36A，导通电阻低至60mΩ
ASR70N650D56是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET芯片，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其采用DFN5X6封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为650V，连续漏极电流为36A。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
ZMC020N120C4 1200V N沟道SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的1200V N-Channel SiC MOSFET器件，型号为ZMC020N120C4。这款器件采用先进的SiC MOSFET技术制造，具有低RDS(on)、高开关速度、低电容等特点，适用于电机驱动、车载充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
型号- ZMC020N120C4
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V
深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。
ZMC060N120C4 1200V N沟道SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的1200V N-Channel SiC MOSFET器件ZMC060N120C4。该器件采用先进的第二代SiC MOSFET技术，具有非常低的RDS(on)、低电容和高开关操作能力，适用于电机驱动、板上充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
型号- ZMC060N120C4
【产品】1700V N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT3，可用于电动汽车充电和DC-AC逆变器等
ASC100N1700MT3是爱仕特自主设计研发的一款N沟道SiC MOS芯片，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加。
ZMCA020N120C4 1200V N沟道SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的1200V N-Channel SiC MOSFET器件。这款器件采用先进的SiC MOSFET技术，具有低RDS(on)、高开关速度、低电容等特点，适用于电机驱动、车载充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
型号- ZMCA020N120C4
【产品】规格为1200V/20A的N沟道碳化硅MOSFET ASR160N1200D88，适用于充电器
ASR160N1200D88是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅(SiC)MOSFET，其具有低电容高速开关、高阻断电压、低RDS(on)等特点。该器件采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N900MT4，规格为900V/100A
ASC100N900MT4是爱仕特自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
ZMCA060N120C4 1200V N沟道SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的1200V N-Channel SiC MOSFET器件。这款器件采用先进的第二代SiC MOSFET技术，具有非常低的RDS(on)、低电容和高开关操作能力，适用于电机驱动、车载充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
型号- ZMCA060N120C4
ASC100N1200MDSK 1200V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC100N1200MDSK型号的1200V N-Channel MOSFET。该产品采用碳化硅(SiC)技术，具有高开关性能、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于多种高效率、高功率密度的应用场景。
型号- ASC100N1200MDSK
【产品】规格为900V/60A的N沟道SiC MOSFET ASC60N900MT4，适用于开关电源
ASC60N900MT4是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
ASC100N1200MDS 1200V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了ASC100N1200MDS这款1200V N-Channel MOSFET。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关性能和可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保低电容和栅极电荷。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、增加的功率密度、减少的EMI和系统尺寸。
型号- ASC100N1200MDS
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论