【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用SOP-8封装，满足RoHS标准。该器件使用先进的沟槽栅低压功率MOSFET技术生产，以及高密度单元设计来实现低RDS(ON)，可用于高速开关。
产品图和内部电路图
主要参数值：
漏源电压最大额定值为60V
漏极电流（TA=25℃，稳态）可达5A
静态漏源导通电阻不超过44mΩ（VGS=10V）
静态漏源导通电阻不超过49mΩ（VGS=4.5V）
脉冲漏极电流最大额定值25A
总耗散功率最大值（TA=25℃）为3.1W
结温和存储温度范围均为-55~+150℃
结到环境热阻最大额定值为40.3℃/W
应用领域
●电池保护
●负载开关
●电源管理
订购信息
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