【产品】30V/5.8A CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET，导通电阻低至0.024Ω，适用于高速脉冲电路
美国中央半导体公司 （ Central Semiconductor ）是世界顶级分立半导体生产商。该公司获得IS9001：2000认证，其产品符合ROHS标准。CWDM305ND是其全新推出的一款硅双路N沟道增强型MOSFET芯片，该器件的最大特点是能够承受很高的持续工作电流。其漏极持续电流ID高达5.8A。该器件极适合应用在高速脉冲放大电路和驱动电路中，能承受较大的电流浪涌冲击。该器件的封装选用紧凑贴片型的SOIC-8，其具有体积小、重量轻、壳体坚固等机械优点。
图1 CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的封装示意图
CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的工作电流可以维持在较高的水准，但为了其应用的整体电路系统的安全性考虑，器件的电压就必须保持在一个相对较低的水准，以确保不至于因器件输出功率过高，而对电路造成损害。其漏极源极耐受压值VDS为30V，门极源极耐受压值VGS为20V，对比常规在5V~10V左右的工作电压，确实不高，但同时也起到了一定的电路保护作用。可以想象，CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET在大电流的工作条件下，其工作电压持续升高，必然给电路带来了极大的功率负担，而及时的电压击穿效果，能有效控制过大功率输出造成的电路破坏。其持续漏极电流ID阈值达到5.8A，而漏极对脉冲电流的耐冲击值IDM更是达到23.2A，不仅有很好的电气可靠性，而且极适合在脉冲电路中使用。同时，其极间电容Ciss有500~560pF，相对较高的电容量，也保证了一定的耐冲击性。
图2 CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的内部结构示意图
CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET还是一款节能型的器件，其功率损耗的最大值PD也只不过2.0W，工作时的实际值更是远低于此。另外其触发电压VGS(th)只有1.0~3.0V，在加上其导通电阻rDS(ON)更是低至0.024~0.034Ω，其导通损耗极低。CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的门极总充电量Qg(tot)为4.2~6.3nC，极低的充放电量在低损耗的同时还带了极低的响应时间。其导通时间ton 为6.5ns，关断时间toff为8.5ns，全部纳秒级表现，可应用于高频放大和快速响应开关系统中。另外器件的漏电流IDSS最大值仅为1.0μA，具有较好的单向导通性能。
CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的温度特性也是相当不错，其热阻θja为62.5°C/W，配合其低功耗特性，不会产生过多热量而影响器件的正常工作。其工作温度范围也较大，从-55°C~+150°C，有极强的耐高温、耐低温工作能力，热稳定性能良好。
CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的主要特点：
• 耐受大工作电流，ID =5.8A
• 耐脉冲电流冲击值高，IDM =23.2A，电气可靠性好
• 低导通电阻rDS(ON)= 0.024~0.034Ω，导通损耗极低
• 门极充电量低Qg(tot) =4.2~6.3nC
• 快速响应时间，导通延时ton 为6.5ns，，关闭延时toff为8.5ns
• 热阻θja为62.5°C/W
• 工作及存储温度范围大：-55°C~+150°C
CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET的典型应用：
• 负载/电源开关
• DC-DC转换器电路
• 电源管理模块
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