【产品】30V/6A N沟道先进功率MOSFET RU3400B, 导通电阻典型值26mΩ（Vgs=10V）
锐骏半导体推出采用SOT23封装的N沟道先进功率MOSFET RU3400B ，其漏源电压为30V，TA=25℃时连续漏极电流为6A（VGS=10V）。该器件采用超高密度单元设计，符合RoHS标准，可用于DC/DC转换器和电池开关等应用。
产品外观和示意图
特点：
漏源电压30V，连续漏极电流6A（TA=25℃，VGS=10V）
RDS(ON)=26mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS(ON)=30mΩ(典型值)@VGS=4.5V
超高密度单元设计
坚固可靠
无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）
应用：
DC/DC转换器
电池开关
绝对最大额定参数：
电气特性(TA=25℃，除非特别说明)：
注意：
脉冲宽度受安全操作区限制
根据最大允许结温计算的连续电流
安装在1英寸方形铜板上时，t≤10秒，任何特定应用中的数值取决于用户的具体电路板设计
受TJmax的限制。起始TJ=25℃
脉冲测试；脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
由设计保证，不接受生产测试
产品订购信息
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|
产品型号
|
品类
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Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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