【产品】30V/6A N沟道先进功率MOSFET RU3400B, 导通电阻典型值26mΩ（Vgs=10V）

时间： 2022-05-10 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出采用SOT23封装的N沟道先进功率MOSFET RU3400B ，其漏源电压为30V，T_A=25℃时连续漏极电流为6A（V_GS=10V）。该器件采用超高密度单元设计，符合RoHS标准，可用于DC/DC转换器和电池开关等应用。

产品外观和示意图

特点：

漏源电压30V，连续漏极电流6A（T_A=25℃，V_GS=10V）

R_DS(ON)=26mΩ(典型值)@V_GS=10V

R_DS(ON)=30mΩ(典型值)@V_GS=4.5V

超高密度单元设计

坚固可靠

无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）

应用：

DC/DC转换器

电池开关

绝对最大额定参数：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

注意：

脉冲宽度受安全操作区限制
根据最大允许结温计算的连续电流
安装在1英寸方形铜板上时，t≤10秒，任何特定应用中的数值取决于用户的具体电路板设计
受TJmax的限制。起始TJ=25℃
脉冲测试；脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
由设计保证，不接受生产测试

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3