【产品】采用外延平面工艺制造的NPN型硅晶体管CMXT3904，适用于小信号放大和开关应用
Central Semiconductor（美国中央半导体公司）是成立于1974年总部位于美国纽约的世界顶级分立半导体制作商，力求为客户提供高品质高可靠性产品，一直致力于二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDMs）的研发和制造，获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合RoHS2和REACH要求。其生产的产品可定制参数，提供SPICE模型、环境数据及ATR数据，还可以定制封装等，准时交货率达到99.8%以上。
CMXT3904是Central Semiconductor推出的双极型晶体三极管，采用外延平面制造工艺，集成了双NPN型双极型硅晶体管，其中发射极开路时，该晶体管的集电极和基极最大可承受电压为VCBO=60V，基极开路时的集电极和发射极的最大可承受电压为VCEO=40V，集电极开路时，发射极和基极之间的最大可承受电压为VEBO=6V。该晶体管的最大功耗PD=350mW，另外，其最大工作温度和存储结温的范围均为-65°C~+150°C，热阻为357°C/W，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的工作环境条件下也可以保证良好的可靠性。
图1 SOT-26封装
CMXT3904采用SOT-26的封装形式，25℃时测得该款硅晶体管的特征频率最小为fT=300MHz（VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz），IC=10mA, IB=1.0mA时集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.2V，IC=50mA, IB=5.0mA时集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.3V。该晶体管在VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz时测得的极间电容COB=4.0pF。VCE=1.0V, IC=10mA时CMXT3904的直流电流放大系数hFE最大可达到300。CMXT3904具有很好的频率特性，适用于小信号的一般放大和开关应用。
图2 封装尺寸
CMXT3904 NPN型硅晶体管的主要特点
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压VCBO:60 V
集电极—发射极最大电压VCEO:40 V
发射极-基极电压 VEBO:6.0V
最大直流集电极电流IC:0.2A
增益带宽积fT:300MHz(Min)
最大工作温度:+150℃
最小直流电流放大系数hFE：40（VCE=1.0V, IC=0.1mA）
最大直流电流放大系数hFE：300（VCE=1.0V, IC=10mA）
最小工作温度:-65℃
功率耗散PD:350mW
CMXT3904 NPN型硅晶体管的典型应用
小信号放大电路
负载开关
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55,CMPT4033,CBRHDSH1-200,CMPSH05-4,CMF8.5A,CMZ5932B,CMMR1U-08,CMMR1U-06,CMDZ5250B,P6SMB250A,BZV55C7V5,CTLTVS5V0B,CMPSH-3SE,CMPZ5260B,CMHZ5226B,CBCX68,CBCX69,1SMB54A,CFTVS5V0BULC,CTLDM8002A-M621H,1SMC100CA,CMUT5551E,P6SMB120A,CMXZ20VTO,CMPSH-3,CMPZ5263B,CMDZ4V7,P6SMB51CA,CMHZ5225B,CMDZ4V3,1SMC40A,CMR2-06MFL,CFTVS5V0LC,CMLT3474,CMZ5948BP,P6SMB8.2A,CTLSH1-40M832DS,CMOZ8V2,1SMC7.5A,3SMC12CA,CMDSH2-4L,CMPZ5262B,CMZ5930B,CMZ5913BP,CMHZ5224B,1SMC6.5CA,1.5SMC39CA,5SMC58A,CMLM2205,CMDZ5255B,1SMB78CA,CXDM4060N,C4SMAFL36A,CXDM4060P,CBRLD1-04,CZT7090LE,CMF24A,CBRLD1-02,CMHZ5223B,CMSH1-60HE 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