第三代高速SRAM、SDRAM,数据传输率可达1600Mb

2016-05-18 贸泽(世强翻译)
存储器,SDRAM,AS4C64M16D3,AS4C64M16D3-12BAN 存储器,SDRAM,AS4C64M16D3,AS4C64M16D3-12BAN 存储器,SDRAM,AS4C64M16D3,AS4C64M16D3-12BAN 存储器,SDRAM,AS4C64M16D3,AS4C64M16D3-12BAN

 美国ALLIANCE Memory公司是世界领先的存储器相关电子元器件的生产商,主要提供种类丰富的SRAMSDRAM系列产品,其产品具有工业级的品质,抗干扰性强,价格低廉,被广泛应用于各个相关领域。Alliance Memory公司推出了一款第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器——AS4C64M16D3-12BAN。该存储器属于工业级产品,其存储容量为1 Gbit,内部配置采用8 Mbit × 16 I/Os × 8 bank流水线结构,是一款具有8个存储组的DRAM

 

AS4C64M16D3存储器的设计符合 DDR3 DRAM所有的主要特征,并且所有的控制信号和地址信号的输入都与一组外部提供差分时钟同步。该存储器的数据总线宽度为16位,采用双倍数据速率来进行数据传输,可以实现高速数据传输,对于一般应用程序的数据速率最高可以达到1600 Mb/sec/pin。该存储器的时钟频率最高可以达到800 MHz,它的工作温度范围为 -40 °C ~ 95°C。该芯片的封装形式为96-ball FBGA,其外观如图1所示。


AS4C64M16D3的外观图

图1:AS4C64M16D3的外观图

 

AS4C64M16D3-12BAN主要特点:

  电源供应:VDD & VDDQ =+1.5V ± 0.075V

  支持JEDEC的时钟抖动规范

  具有完全同步操作

  时钟速度快: 800MHz

  具有差分时钟,CK & CK #

  具有双向差分数据选通脉冲,DQS & DQS#

  具有8n-bit预取体系结构

  具有流水线的内部体系结构

  具有附加延迟:0,CL-1,CL-2

  可编程脉冲长度:4,8

  突发类型:顺序型/交错型

  输出驱动阻抗控制

  8192 刷新周期 / 64ms:

   平均刷新周期:

   --7.8µs @- 40 °C ≦TC≦ + 85 °C

   --3.9µs @ + 85 °C< TC≦ + 95 °C

  有OCD校准功能

  动态ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)

  --工作温度:

  商业(0℃~95℃)

  工业(-40℃~95℃)

  封装形式96-ball 9 x 13 x 1.2mm FBGA

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 用户18396822 Lv8 2018-02-16
    很好
  • Tonyxing Lv8. 研究员 2018-01-10
    不错
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