【应用】同步升压转换器SGM6613A用于5G小基站末级PA电源设计,集成MOSFET,工作效率达90%

2021-06-05 世强
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小基站是国家5G新基建战略的重要组成部分,主要用于室内覆盖补充盲点,功率最高达到0.5W,考虑到系统峰均比和输出端插损,末级PA输出功率一般达到39dBm,主流方案是采用LDMOS功率放大器实现。

      

常规LDMOS采用28V供电,射频部分一般是5V供电,需要采用升压芯片达到28V电源,推荐圣邦微电子的同步升压转换器SGM6613A,输入电压4.5-22V,最高输出电压28.5V,集成低压17mΩ/ 高压31mΩ内阻的MOSFET,输出电流500mA@28.5V,开关频率500KHz,以下是SGM6613A典型电气参数:

可以输出8W的LDMOS功率放大器通常是28V供电,射频板电源以5V为主,需要升压芯片达到28V电源,SGM6613A提供最高28.5V的输出电压,电流达到500mA@28.5V,完全满足0.5W输出小基站末级PA 的电源设计需求。5G小基站对整机功耗要求较高,SGM6613A的静态电流只有420uA,同时效率达到90%,降低系统功耗,节能环保。该器件内置低压17mΩ/ 高压31mΩ的功率MOSFET,节省外围电路中的MOS器件,简化电源电路设计,同时集成软启动、过压保护等功能,ESD等级达到2KV HBM,提高设备长期可靠性,以下是SGM6613A典型封装和应用电路。

图1 SGM6613A封装

图2 SGM6613A典型应用电路


综上所述,圣邦微的升压DCDC芯片SGM6613A具有宽输入电压、集成MOSFET、效率高达90%的特性,同时相比国外同类产品,成本更低,是5G小基站末级PA电源设计的高性价比解决方案。


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CH
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Vcc (Max)(V)
I_OUT(mA)
Frequency (kHz)
Iq (μA)
SHDN Iq(μA)
Package
SGM6010
DC/DC Synchronous Rectifier Buck Converters
1
L
3
5.5
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300 to 2000
0.41
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TDFN-3×3-10L

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